[发明专利]磁性隧道结器件以及磁性随机存储器

权利要求书

1.一种磁性隧道结器件，其特征在于，包括：

第一磁性层、第二磁性层、第三磁性层以及介于所述第一磁性层与所述第二磁性层之间的第一分离层、介于所述第二磁性层与所述第三磁性层之间的第二分离层，其中，所述第三磁性层的磁化方向固定，所述第二磁性层的磁化方向与所述第三磁性层的磁化方向平行或反平行，所述第二磁性层的磁化方向与磁性隧道结器件中电流的方向相关，所述第一磁性层的磁化强度与所述磁性隧道结器件所处的环境温度相关，且所述第一磁性层为所述第二磁性层提供自旋转移力矩，所述第一磁性层为铁磁材料，所述第一磁性层的居里温度范围为0-120℃。

2.根据权利要求1所述的磁性隧道结器件，其特征在于，所述铁磁材料为铁钒合金

Fe_xV_1-x，其中，0.32x0.68。

3.根据权利要求1所述的磁性隧道结器件，其特征在于，所述第一磁性层的磁化方向为第一磁化方向，所述第二磁性层与所述第三磁性层的磁化方向为第二磁化方向，其中，所述第一磁化方向与所述第二磁化方向之间的夹角大于60度，小于120度。

4.根据权利要求3所述的磁性隧道结器件，其特征在于，所述第一磁化方向与所述第二磁化方向之间的夹角为90度。

5.根据权利要求1所述的磁性隧道结器件，其特征在于，所述第一分离层为绝缘层、非磁性金属层或者由绝缘层与非磁性金属层组成的薄膜。

6.根据权利要求5所述的磁性隧道结器件，其特征在于，所述第一分离层的厚度在0.2-5纳米之间。

7.根据权利要求1所述的磁性隧道结器件，其特征在于，所述第二分离层采用绝缘材料。

8.根据权利要求1所述的磁性隧道结器件，其特征在于，所述第二磁性层为CoFeB|NM|CoFeB结构，其中，NM为非磁性金属层。

9.一种磁性随机存储器，其特征在于，包括权利要求1至8中任一项所述的磁性隧道结器件。