[发明专利]一种硅基PiN紫外光电二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810023857.3 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108281496A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 蒲红斌;胡丹丹;王曦;石万 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/105;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 蒋姝泓 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化镍薄膜 紫外光 电二极管 硅基 制备 磁控溅射设备 紫外光吸收层 异质结结构 制备过程 紫外响应 硅器件 铝电极 镍电极 氧化镍 电极 衬底 成膜 沉积 薄膜 | ||
1.一种硅基PiN紫外光电二极管，其特征在于，包括铝电极和镍电极，两电极之间由铝电极向镍电极方向依次附有N型硅衬底、i层氧化镍薄膜和P型氧化镍薄膜。
2.根据权利要求1所述的硅基PiN紫外光电二极管，其特征在于，所述i层氧化镍薄膜厚度为30nm-100nm，P型氧化镍薄膜厚度为30nm-100nm。
3.一种如权利要求1所述的硅基PiN紫外光电二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)对N型硅衬底进行RCA清洗；
(2)利用磁控溅射设备，在N型硅衬底上沉积出i层氧化镍薄膜；
(3)利用磁控溅射设备，在i层氧化镍薄膜上沉积出P型氧化镍薄膜；
(4)在P型氧化镍薄膜上沉积镍电极；
(5)在硅片背面沉积铝电极；
(6)退火，形成欧姆接触。
4.根据权利要求3所述的硅基PiN紫外光电二极管的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述i层氧化镍薄膜的沉积工艺为：沉积过程只通入氩气，沉积时间控制为0.1h-2h，沉积压强控制为1Pa-5Pa，溅射功率控制为80W-160W。
5.根据权利要求3所述的硅基PiN紫外光电二极管的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述P型氧化镍薄膜的沉积工艺为：沉积过程中同时通入氩气和氧气，二者流量比为1:1，沉积时间控制为0.1h-2h，沉积压强控制为1Pa-5Pa，溅射功率控制为80W-160W。
6.根据权利要求3所述的硅基PiN紫外光电二极管的制备方法，其特征在于，步骤(6)所述退火温度为400℃-600℃，退火时间为60S-500S。
7.根据权利要求3所述的硅基PiN紫外光电二极管的制备方法，其特征在于，所述i层氧化镍薄膜厚度为30nm-100nm，P型氧化镍薄膜厚度为30nm-100nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
