[发明专利]红外光探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种红外光探测器，其特征在于，包括：

N型衬底(10)；

依序叠层设置在所述N型衬底(10)上的N型超晶格吸收层(20)、P型超晶格势垒层(30)和P型超晶格接触层(40)，所述P型超晶格势垒层(30)和所述P型超晶格接触层(40)中间隔的多个区域被注入离子，以形成多个接触所述N型超晶格吸收层(20)的N型区(50)，所述离子为氧离子、氟离子、氮离子、氦离子、氖离子和氩离子中的任意一种；

设置在所述N型衬底(10)上的第一电极(70)；以及

设置在所述P型超晶格接触层(40)上的第二电极(60)。

2.根据权利要求1所述的红外光探测器，其特征在于，所述N型超晶格吸收层(20)包括100～2000周期的N型InAs/GaSb超晶格吸收层，每一周期所述N型InAs/GaSb超晶格吸收层包括InAs层和GaSb层，所述N型超晶格吸收层(20)的厚度范围为1～8μm。

3.根据权利要求1所述的红外光探测器，其特征在于，所述P型超晶格势垒层(30)包括10～500周期的P型InAs/GaSb超晶格势垒层，每一周期所述P型InAs/GaSb超晶格势垒层包括InAs层和GaSb层，所述P型超晶格势垒层(30)的厚度范围为0.05～2μm。

4.根据权利要求1所述的红外光探测器，其特征在于，所述P型超晶格势垒层(30)的有效带宽大于所述N型超晶格吸收层(20)的有效带宽。

5.根据权利要求1所述的红外光探测器，其特征在于，所述P型超晶格接触层(40)包括20～500周期的P型InAs/GaSb超晶格接触层，每一周期所述P型InAs/GaSb超晶格接触层包括InAs层和GaSb层，所述P型超晶格接触层(40)的厚度范围为0.1～2μm。

6.根据权利要求1所述的红外光探测器，其特征在于，所述N型衬底(10)为N型GaSb衬底或者N型InAs衬底。

7.一种红外光探测器的制备方法，其特征在于，包括：

提供一N型衬底(10)；

依次在所述N型衬底(10)上生长形成N型超晶格吸收层(20)、P型超晶格势垒层(30)和P型超晶格接触层(40)；

在所述P型超晶格势垒层(30)和所述P型超晶格接触层(40)的多个区域进行离子注入，制作形成多个间隔的N型区(50)，每个所述N型区(50)接触所述N型超晶格吸收层(20)，所述离子为氧离子、氟离子、氮离子、氦离子、氖离子和氩离子中的任意一种；

在所述N型衬底(10)上制作形成第一电极(70)；

在所述P型超晶格接触层(40)上制作形成第二电极(60)。

8.根据权利要求7所述的红外光探测器的制备方法，其特征在于，采用金属有机物化学气相沉积工艺或者分子束外延工艺依次在所述N型衬底(10)上生长形成所述N型超晶格吸收层(20)、所述P型超晶格势垒层(30)和所述P型超晶格接触层(40)。