[发明专利]牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 201810024642.3 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108199256B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 晏长岭;刘云;史建伟;冯源;郝永芹;李辉;王佳彬 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/024 |
| 代理公司： | 22210 长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微盘 半导体激光器 电极金属材料 制作 支撑结构 电极 焊接层 绝缘层 封装 焊接 欧姆接触层 分立 热沉 绝缘层上表面 自支撑结构 底部表面 散热问题 上部表面 激光器 发热区 腔结构 下电极 衬底 发光 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种牢固倒封装微盘腔半导体激光器，自衬底(6)一侧起依次有下波导层(5)、有源层(4)、上波导层(3)、欧姆接触层(2)和上电极(1)，下电极(7)位于衬底(6)另一侧，其特征在于，彼此分立的支撑结构(11)和微盘腔(12)各自均依次由所述下波导层(5)、有源层(4)、上波导层(3)、欧姆接触层(2)构成，自支撑结构(11)上部的欧姆接触层(2)起依次还有绝缘层(13)、上电极金属材料层(14)，一个焊接层(8)一侧与热沉(9)焊接，所述焊接层(8)的另一侧分别与微盘腔(12)的上电极(1)、支撑结构(11)的上电极金属材料层(14)焊接；支撑结构(11)朝向微盘腔(12)的立面为平面或者柱面；采用刻蚀工艺制作的支撑结构(11)具有光滑的侧壁，能够将微盘腔(12)发射过来的光反射回去。
2.根据权利要求1所述的牢固倒封装微盘腔半导体激光器，其特征在于，绝缘层(13)的材料为SiO2或者Si3N4；上电极金属材料层(14)与上电极(1)材质相同。
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