[发明专利]采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法有效
| 申请号： | 201810024860.7 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108257867B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 周正良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 选择性 外延 对准 hbt 器件 制造 方法 | ||
1.一种采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、在形成集电极后，淀积第一层二氧化硅SiO2层，打开锗硅单晶外延窗口，在去除所述锗硅单晶外延窗口内的二氧化硅SiO2层和清洗后，非选择性生长锗硅外延层；
步骤2、在所述锗硅外延层上端，依次淀积第二层二氧化硅SiO2层、多晶硅层，即淀积SiO2/多晶硅叠层；
步骤3、用牺牲发射极窗口光刻和干法刻蚀所述二氧化硅SiO2/多晶硅叠层，停在第二层二氧化硅SiO2层，除发射极区域外其余区域全部刻除；
步骤4、用二氟化硼或硼离子进行第一次外基区离子注入；
步骤5、淀积第三层二氧化硅SiO2层，回刻形成侧墙，用硼离子进行第二次外基区离子注入；
步骤6、淀积第四层二氧化硅SiO2层；
步骤7、在所述第四层二氧化硅SiO2层的上端，淀积平坦化的有机介质层；
步骤8、用回刻方法将多晶硅顶端的有机介质层和二氧化硅层去除；
步骤9、干法刻蚀多晶硅，干法刻蚀将发射极窗口打开；
步骤10、在所述发射极窗口内淀积氮化硅SiN/二氧化硅SiO2叠层或无定型硅，回刻形成内侧墙；
步骤11、湿法刻蚀和清洗所述发射极窗口后，在该发射极窗口内淀积重掺杂砷多晶硅，然后刻蚀发射极和基极多晶硅形成发射极和基极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1所述第一层二氧化硅SiO2层，厚度为
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤2所述第二层二氧化硅SiO2层，厚度为多晶硅层厚度为
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤3所述牺牲发射极窗口的尺寸为0.2～0.3微米。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤4所述第一次外基区离子注入，注入深度为以下，剂量为3E14～1E15/cm2。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤4所述第一次外基区离子注入，注入深度为以下，剂量为3E14～1E15/cm2。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤5所述第三层二氧化硅SiO2层，厚度为
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤5所述第二次外基区离子注入，注入深度为以内，剂量为2E15～5E15/cm2。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤6所述第四层二氧化硅SiO2层，厚度为
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤7所述有机介质层，厚度为并且其在多晶硅上的厚度低于有源区。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤10所述氮化硅SiN/二氧化硅SiO2叠层的总厚度或无定型硅的厚度为
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤11所述砷多晶硅，厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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