[发明专利]采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的工艺方法有效
| 申请号： | 201810024872.X | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108257868B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 周正良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/737 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 选择性 外延 对准 hbt 器件 工艺 方法 | ||
1.一种采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、在形成集电极后，淀积第一层二氧化硅SiO2层，打开锗硅单晶外延窗口，在去除所述锗硅单晶外延窗口内的二氧化硅SiO2层和清洗后，非选择性生长锗硅外延层；
步骤2、在所述锗硅外延层上端，依次淀积第二层二氧化硅SiO2层、多晶硅层、第三层二氧化硅SiO2层，即淀积二氧化硅SiO2/多晶硅/二氧化硅SiO2叠层；
步骤3、用牺牲发射极窗口光刻和干法刻蚀所述二氧化硅SiO2/多晶硅/二氧化硅SiO2叠层，停在第三层二氧化硅SiO2层，除发射极区域外其余区域全部刻除；
步骤4、淀积第四层二氧化硅SiO2层，回刻形成侧墙，同时要保证多晶硅上有二氧化硅SiO2留存；
步骤5、在有源区二氧化硅去除后，侧墙和多晶硅顶部留存二氧化硅SiO2，在有源区选择性生长单晶或多晶硅层，再淀积第五层二氧化硅SiO2层，所述第五层二氧化硅SiO2层覆盖器件的全部上端面；
步骤6、在所述第五层二氧化硅SiO2层的上端，淀积平坦化的有机介质层；
步骤7、用回刻方法把多晶硅顶端的有机介质层和第五层二氧化硅SiO2层去除；
步骤8、干法刻蚀多晶硅，将发射极窗口打开；
步骤9、在所述发射极窗口10内淀积氮化硅SiN/二氧化硅SiO2叠层或无定型硅，回刻形成内侧墙；
步骤10、湿法刻蚀和清洗所述发射极窗口后，在该发射极窗口内淀积重掺杂砷多晶硅，然后刻蚀发射极和基极多晶硅形成发射极和基极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1所述第一层二氧化硅SiO2层，厚度为
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤2所述第二层二氧化硅SiO2层的厚度为多晶硅层的厚度为第三层二氧化硅SiO 2层的厚度为
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤3所述牺牲发射极窗口的尺寸为0.2～0.3微米。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤4所述第四层二氧化硅SiO2层，其厚度为
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤5所述单晶或多晶硅层厚度为第五层二氧化硅SiO2层厚度为
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤6所述有机介质层厚度为并且其在多晶硅上的厚度要低于有源区。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤9所述氮化硅SiN/二氧化硅SiO2叠层的总厚度或无定型硅的厚度为
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤10所述重掺杂砷多晶硅，厚度为
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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