[发明专利]晶圆研磨方法在审
| 申请号： | 201810025135.1 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108269741A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 郁新举;刘玮荪 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蓝膜 减薄 晶圆 硬质材料 研磨 不平整表面 有机绝缘层 背面减薄 晶圆背面 晶圆正面 正面保护 常规的 金属层 均匀性 破片率 切削 硅片 磨平 去除 凸凹 种晶 平整 覆盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆研磨方法，其特征在于：在具有有机绝缘层以及金属层的晶圆正面覆盖保护蓝膜，然后使用硬质材料将保护蓝膜的表面磨平；再对晶圆进行背面减薄后去除正面保护蓝膜。
2.如权利要求1所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述的有机绝缘层为聚酰亚胺。
3.如权利要求1所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述的硬质材料的硬度要远大于蓝膜材质，其洛氏硬度大于60。
4.如权利要求1所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述的硬质材料为金刚石。
5.如权利要求1所述的晶圆研磨方法，其特征在于：在使用硬质材料对蓝膜表面进行研磨时，保证蓝膜的表面被完全磨平，磨平后蓝膜表面与有机绝缘材质表面还留有一定距离，使蓝膜下的有机绝缘材质不受影响。
6.如权利要求1所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述的蓝膜为耐高温的蓝膜。
7.如权利要求1所述的晶圆研磨方法，其特征在于：对晶圆进行背面减薄采用机械研磨工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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