[发明专利]一种半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成体区；

在所述体区内形成漂移区，所述漂移区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相反；

在所述体区内形成沟道区，所述沟道区部分向所述漂移区所在的方向延伸，形成至少一个沟道延伸区，所述至少一个沟道延伸区与所述漂移区之间形成交叉指状分布，所述沟道区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同；

在所述漂移区内形成隔离区，所述至少一个沟道延伸区的端部位于所述隔离区的下方；

在所述半导体衬底表面形成栅极结构；

在所述栅极结构一侧的沟道区内形成源区，在所述漂移区内形成漏区，所述漏区位于所述隔离区远离所述沟道区的一侧；

当所述半导体结构为P型LDMOS时，所述体区的掺杂类型和沟道区的掺杂类型均为N型，所述漂移区的掺杂类型、源区的掺杂类型以及漏区的掺杂类型均为P型；当所述半导体结构为N型LDMOS时，所述体区的掺杂类型和沟道区的掺杂类型均为P型，所述漂移区的掺杂类型、源区的掺杂类型以及漏区的掺杂类型均为N型；

所述沟道区的注入浓度大于漂移区的注入浓度，所述沟道区的注入浓度和漂移区的注入浓度均为10¹⁷cm^-3量级；

所述至少一个沟道延伸区与所述漂移区之间具有设定距离，该设定距离小于漂移区和体区之间的纵向PN结沿横向的耗尽距离。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述至少一个沟道延伸区的形成过程为：在半导体衬底表面形成沟道区掩膜层，所述沟道区掩膜层上具有至少一个向所述漂移区所在的方向延伸的沟道区注入窗口，以所述沟道区掩膜层为掩膜进行注入，在至少一个沟道区注入窗口所对应的体区内形成沟道延伸区。

3.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

体区，位于所述半导体衬底内；

漂移区，位于所述体区内，所述漂移区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相反；

沟道区，位于所述体区内，所述沟道区部分向所述漂移区所在的方向延伸，形成至少一个沟道延伸区，所述至少一个沟道延伸区与所述漂移区之间形成交叉指状分布，所述沟道区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同；

隔离区，位于所述漂移区内，至少一个沟道延伸区的端部位于所述隔离区的下方；

栅极结构，位于所述半导体衬底的表面；

源区，位于所述栅极结构一侧的沟道区内；

漏区，位于所述漂移区内且位于所述隔离区远离所述沟道区的一侧；

所述至少一个沟道延伸区与所述漂移区之间具有设定距离，该设定距离小于漂移区和体区之间的纵向PN结沿横向的耗尽距离。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，当所述半导体结构为P型LDMOS时，所述体区的掺杂类型和沟道区的掺杂类型均为N型，所述漂移区的掺杂类型、源区的掺杂类型以及漏区的掺杂类型均为P型；当所述半导体结构为N型LDMOS时，所述体区的掺杂类型和沟道区的掺杂类型均为P型，所述漂移区的掺杂类型、源区的掺杂类型以及漏区的掺杂类型均为N型。