[发明专利]一种背接触异质结太阳能电池制作方法

权利要求书

1.一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：

提供制绒清洗形成绒面的N型硅片；

在硅片的正面依次镀第一本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、一层增透层；

在硅片的背面依次镀第二本征非晶硅层、第二N型非晶硅层、第一透明导电膜层、一层绝缘层；

在硅片的背面印刷第一蚀刻油墨，反应后经过清洗去除印刷区域的绝缘层、第一透明导电膜、第二N型非晶硅层、第二本征非晶硅层；

通过清洗溶液清洗后，在硅片背面依次镀第三本征非晶硅层、第一P型非晶硅层；

在硅片的背面绝缘层局部区域印刷第二蚀刻油墨，反应后经过清洗去除印刷区域的第一P型非晶硅层、第三本征非晶硅层、绝缘层；

在硅片的背面镀第二透明导电膜层；

在硅片的背面绝缘层局部区域印刷第三蚀刻油墨，反应后经过清洗去除印刷区域的第二透明导电膜层；

在硅片的背面镀一层种子铜层；

在硅片的背面印刷一层耐电镀油墨形成栅线图案；

在硅片的背面栅线图案区域电镀铜，形成铜栅线电极；

通过去膜溶液，去除硅片背面的耐电镀油墨及种子铜。

2.根据权利要求1所述一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：所诉第一本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、第二本征非晶硅层、第二N型非晶硅层、第三本征非晶硅层、第一P型非晶硅层厚度为1～15nm，所诉非晶硅膜层通过PECVD沉积形成。

3.根据权利要求1所述一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：所诉增透层为氮化硅、氮氧化硅、氟化镁、ITO、氧化硅、氧化铝、氧化锌中的至少一种，厚度为40～200nm，所诉增透层通过PECVD或PVD沉积形成。

4.根据权利要求1所述一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：所诉绝缘层为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、非晶硅中的至少一种，厚度为40～200nm，所诉绝缘层通过PECVD或PVD沉积形成。

5.根据权利要求1所述一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：所诉第一透明导电膜层、第二透明导电膜层为金属氧化物，所述金属氧化物为氧化铟锡薄膜、掺铝氧化锌、掺钨氧化铟薄膜中的一种，厚度为10～200nm，所诉透明导电薄膜通过PVD沉积。

6.根据权利要求1所述一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：所诉第一蚀刻油墨可以同时腐蚀金属氧化物、氮化硅、氧化硅、非晶硅，印刷宽度为0.3～0.9mm，通过加温烘烤反应，反应温度为100～220℃，反应时间为5～60M，所诉第二蚀刻油墨只腐蚀硅系薄膜，如：氮化硅、氧化硅、非晶硅，不腐蚀金属氧化物，印刷宽度为0.2～0.8mm，反应温度为10～220℃，反应时间为5～60M，所诉第三蚀刻油墨只腐蚀金属氧化物，不腐蚀硅系薄膜，如：氮化硅、氧化硅、非晶硅，印刷宽度为0.03～0.15mm，反应温度为10～220℃，反应时间为5～60M。

7.根据权利要求1所述一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：所诉第一、第二、第三蚀刻油墨反应后的清洗方式为浸泡、喷淋、超声波、鼓泡中的至少一种。

8.根据权利要求1所述一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：所诉耐电镀油墨印刷宽度为0.2～0.8mm，印刷厚度为5～50um。

9.根据权利要求1所述一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：所述铜栅线包含铜栅线层和铜栅线保护层，所诉铜栅线保护层为锡层，所述铜栅线宽度为10-150um，厚度为5-50um。

10.根据权利要求1所述一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：所述去膜液为碱性蚀刻液，分别去除耐电镀油墨及栅线区域外的种子铜。