[发明专利]像素电路、驱动方法、电致发光显示面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201810026813.6 申请日: 2018-01-11
公开(公告)号: CN108206008B 公开(公告)日: 2019-12-31
发明(设计)人: 董甜 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09G3/3225 分类号: G09G3/3225
代理公司: 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 驱动晶体管 电致发光显示面板 发光 电压设置 固定电压 显示装置 像素电路 第一极 驱动 数据写入模块 发光器件 复位阶段 复位模块 驱动电流 数据信号 显示面板 写入数据 均一性 复位 写入 残留
【权利要求书】:

1.一种像素电路,其特征在于,包括:复位模块、数据写入模块、电容模块、驱动晶体管以及发光器件;

所述驱动晶体管的栅极与所述电容模块耦接,所述驱动晶体管的第一极与所述复位模块耦接,所述驱动晶体管的第二极分别与所述复位模块以及所述发光器件的第一电极耦接;

所述复位模块用于在复位阶段对所述驱动晶体管的第一极与第二极进行复位;

所述数据写入模块用于在数据写入阶段将数据信号提供给所述驱动晶体管的栅极;

所述电容模块用于存储所述驱动晶体管的栅极的电压;

所述驱动晶体管用于在发光阶段生成驱动电流以驱动所述发光器件发光;

所述复位模块还与所述驱动晶体管的栅极耦接,用于在所述复位阶段对所述驱动晶体管的栅极进行复位,以及用于在阈值补偿阶段对所述驱动晶体管的阈值电压进行补偿;

所述复位模块包括:第一开关晶体管、第二开关晶体管以及第三开关晶体管;

所述第一开关晶体管的栅极与第一扫描信号线耦接,所述第一开关晶体管的第一极与第一参考信号线耦接,所述第一开关晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极耦接;

所述第二开关晶体管的栅极与第二扫描信号线耦接,所述第二开关晶体管的第一极与第二参考信号线耦接,所述第二开关晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接;

所述第三开关晶体管的栅极与第三扫描信号线耦接,所述第三开关晶体管的第一极与第三参考信号线耦接,所述第三开关晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接;

所述数据写入模块包括第四开关晶体管;其中,所述第四开关晶体管的栅极与第四扫描信号线耦接,所述第四开关晶体管的第一极与数据信号线耦接用于接收所述数据信号,所述第四开关晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接;

所述像素电路还包括:发光控制模块;所述驱动晶体管的第二极与所述复位模块分别通过所述发光控制模块与所述发光器件的第一电极耦接;其中,所述发光控制模块用于控制所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件的第一电极导通或断开;所述发光控制模块包括:第五开关晶体管;其中,所述第五开关晶体管的栅极与发光控制信号线耦接,所述第五开关晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接,所述第五开关晶体管的第二极与所述发光器件的第一电极耦接;

所述第三开关晶体管与所述第四开关晶体管均为氧化物型晶体管;且所述第一开关晶体管、所述第三开关晶体管与所述第四开关晶体管的有源层的材料包括金属氧化物半导体材料;

所述第二开关晶体管、所述第五开关晶体管与所述驱动晶体管均为低温多晶硅型晶体管;且所述第二开关晶体管、所述第五开关晶体管与所述驱动晶体管的有源层的材料包括低温多晶硅材料;

所述第一开关晶体管的第一极与所述第三开关晶体管的第一极相互电连接。

2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一扫描信号线的信号与所述第三扫描信号线的信号相同;和/或,

所述第一参考信号线的信号与所述第三参考信号线的信号相同。

3.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述电容模块包括:存储电容与分压电容:

所述存储电容耦接于所述驱动晶体管的栅极与第一极之间;

所述分压电容耦接于所述驱动晶体管的第一极与第二参考信号线之间。

4.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述发光控制信号线的信号与第二扫描信号线的信号相同。

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