[发明专利]一种促进根系生长的培育枇杷树体的方法在审

专利信息
申请号: 201810026916.2 申请日: 2018-01-11
公开(公告)号: CN108551951A 公开(公告)日: 2018-09-21
发明(设计)人: 陈发兴;李斌奇;于馨淼;杨芮;户帅雅;柳沈辉 申请(专利权)人: 福建农林大学
主分类号: A01G17/00 分类号: A01G17/00;A01C21/00;C05F15/00;C12N1/14;C12R1/645
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350002 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 枇杷树 培育 枇杷 根系生长 抗逆性 生根率 须根 对比试验 农业种植 根毛区 抗低温 抗干旱 树体 幼苗
【说明书】:

发明提供一种促进根系生长的培育枇杷树体的方法,属于农业种植技术领域,包括品种的选择和枇杷树体培育方法;包括品种的选择、提高生根率和培育优质枇杷树体的方法;所述提高枇杷生根率,促进枇杷幼苗根毛区须根数量增加,根毛较长较大;所述的优质枇杷树势的培育方法是对比试验确定的培育优质枇杷树体,能提高枇杷产量、品质和树体的抗逆性;所述的抗逆性是指抗低温、抗干旱和抗风害能力。

技术领域

本发明涉及一种促进根系生长的培育枇杷树体的方法,属于农业技术领域。

背景技术

枇杷 (Eriobotrya japonica Lindl.) 根系较不发达,苗木生长较慢;植株须根稀少,根系分布浅,不但使枇杷树体容易受旱和被大风吹倒,而且须根少的特性还会一定程度地限制树体的营养积累,南方土壤普遍缺磷,更导致树体的磷水平不足,不利果实风味的形成。此外,因低温冷害或高温干旱等因素导致枇杷树体生长发育不良,严重影响产量和品质,枇杷树体生长不良状况是枇杷良种繁育与推广亟待解决的问题。因此,发明促进枇杷根系生长,培育发达根毛区,对改善枇杷根系形态,扩大根系吸收面积,培育健壮根系,提高枇杷树势等具有重要意义。

发明内容

根据以上现有技术中的不足,本发明提供一种促进根系生长的培育优质枇杷树体的方法,能提高枇杷产量和品质,且具有抗低温、抗干旱和抗风害能力。

本发明所述的优质枇杷树体的培育方法,包括品种的选择和优质枇杷树体培育方法;所述品种的选择,白肉枇杷的优选种植品种为‘白梨’ 、‘乌躬白’和‘贵妃’;所述的优质枇杷树势的培育方法是对比试验确定的培育优质枇杷树体,能提高枇杷产量、品质和树体的抗逆性;所述的抗逆性是指抗低温、抗干旱和抗风害能力。

本发明所述的优质枇杷树体培育方法是:

包括以下几个步骤:

(1) 枇杷苗定植:株行距长(3.0-4.0 m) ×宽(4.0-4.5 m)定植树苗,种植处挖长宽高均为80 ×80×80 m种植穴,然后分三层施入基肥。第一层为腐熟有机肥(腐熟有机肥由70%金针菇废菌料+30%鸡粪配制后,通过发酵腐熟而成)12-15kg,踩实;第二层为菌剂基质肥(菌剂基质肥采用第一层使用的腐熟有机底肥8-10kg+1000-2000mL 印度梨形孢菌剂搅拌混合均匀而成),先放入枇杷苗,把树苗的根系舒展开后盖上菌剂基质肥,菌剂基质要与根系完全接触,不留缝隙;第三层仍施入腐熟有机肥8-10kg,近地表面平时,泥土混合后并适当踩实,泥土与地面持平后围绕种植穴区域浇一遍透水,在围绕种植区域用地布覆盖,并用土压好;

(2) 枇杷树体管理:

栽种后第1年以确保成活为主要目标,2-10月间,每隔45-55d,每株距主干20-30 cm 淋施0.1-0.3 kg尿素+500-800mL印度梨形孢菌剂促进新芽萌发;第1年,离地面35-45cm高,选留分布均匀的3-4个主枝为第1层主枝;

栽种后第2与第3年,2-10月间,每隔60-75d,每株每次沟施0.3 kg尿素+0.3 kg氮磷钾复合肥+1000mL印度梨形孢菌剂,促进春、夏和秋梢健壮生长,迅速扩大树冠;栽后第3年11上旬,结合扩穴施肥,每株腐熟有机肥(即70%金针菇废菌料+30%鸡粪)25 kg +1000-2000mL印度梨形孢菌剂,搅拌混合均匀沟施后覆土,并配合浇水;第2年,在第1层主枝上30-40cm处,选留3个不与第1层主枝重叠的第2层主枝;第3年,在第2层主枝上30-40cm处,选留2个培育为第3层主枝;树势旺盛的按第2层选留方法培育2个第4层主枝。

(3)成年结果树,每年需施三次肥:

第一次采果肥, 以复壮树 势, 促进夏梢健状生长发育和花芽分化,确保翌年丰产,克服大小 年结果现象。施肥时间在采果后15-20 d内,每株施腐熟有机肥40-50 kg +1000-2000mL 印度梨形孢菌剂,配施30g尿素+500g磷酸二氢钾;

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