[发明专利]制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201810027050.7 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108364861B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 冈田将和;浦上泰;山下侑佑 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张建涛;车文 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法的特征在于包括：
在半导体基板的表面上形成沟道；
在所述沟道的侧表面和底表面上形成氧化膜；
从所述沟道的所述底表面通过干蚀刻除去所述氧化膜的至少一部分；以及
在所述干蚀刻之后，通过所述沟道的所述底表面将导电杂质离子注入到所述半导体基板中，从而p型悬浮区域被设置在所述半导体基板的n型漂移区域中，
其中，所述干蚀刻是反应离子蚀刻，在所述反应离子蚀刻中，使用蚀刻气体，所述蚀刻气体包括具有碳原子环结构的碳氟化合物基气体、氧气和氩气。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在除去所述氧化膜时，通过干蚀刻除去所述氧化膜，直至所述沟道的所述底表面露出为止。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，电容耦合的等离子蚀刻装置被用于所述干蚀刻，所述电容耦合的等离子蚀刻装置包括两个交流电源，所述两个交流电源分别向一对电极供给交流电力。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述具有碳原子环结构的碳氟化合物基气体由化学式C4F6、C4F8、C5F8和C5HF7中的任一个化学式表示。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述半导体基板是碳化硅基板。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在形成所述氧化膜时，不仅在所述沟道的所述侧表面和所述底表面上，而且还在所述半导体基板的上表面上，均匀地形成所述氧化膜。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在形成所述氧化膜时，所述氧化膜被形成为使得所述氧化膜的在垂直于所述半导体基板的方向上的厚度是1.2微米或更大。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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