[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区和位于所述第一区两侧的第二区；

在所述衬底第一区和第二区上形成功能层；

在所述第一区功能层上形成初始掩膜层；

对所述初始掩膜层进行刻蚀处理，形成掩膜层，所述掩膜层邻近所述第二区的侧壁的厚度大于所述掩膜层中心的厚度；

所述刻蚀处理之后，以所述掩膜层为掩膜对所述功能层进行刻蚀，在所述第二区功能层中形成沟槽；

所述刻蚀处理的步骤包括：形成覆盖所述初始掩膜层邻近所述第二区侧壁的牺牲层，所述牺牲层暴露出所述掩膜层顶部表面；以所述牺牲层为掩膜对所述初始掩膜层进行刻蚀，形成掩膜层；

形成所述牺牲层的步骤包括：形成覆盖所述初始掩膜层侧壁和顶部表面的初始牺牲层；去除所述初始掩膜层顶部表面的初始牺牲层，形成牺牲层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始牺牲层的材料为旋涂碳或旋涂氧化硅。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述功能层进行刻蚀之前，还包括：去除所述第二区牺牲层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述初始牺牲层的工艺包括化学气相沉积工艺或旋涂工艺；

去除所述初始掩膜层顶部表面的初始牺牲层的工艺包括：化学机械研磨工艺、湿法刻蚀和干法刻蚀工艺中的一种或多种组合。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述初始牺牲层的工艺包括旋涂工艺，去除所述初始掩膜层顶部表面的初始牺牲层的工艺包括干法刻蚀工艺；去除所述初始掩膜层顶部表面的初始牺牲层的刻蚀气体包括碳氟基气体。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述掩膜层之后，形成沟槽之前，还包括：在所述功能层上形成第一图形层，所述第一图形层暴露出所述第二区功能层和掩膜层；对所述功能层进行刻蚀的过程中，还以所述第一图形层为掩膜。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀处理的步骤包括：形成覆盖所述初始掩膜层邻近所述第二区侧壁的牺牲层，所述牺牲层暴露出所述掩膜层顶部表面；以所述牺牲层为掩膜对所述初始掩膜层进行刻蚀，形成掩膜层；

形成掩膜层之后，还包括：去除所述牺牲层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一图形层之前，去除所述牺牲层；或者，形成所述第一图形层之后，去除所述牺牲层。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述牺牲层为掩膜对所述初始掩膜层进行刻蚀的刻蚀气体包括：氯基气体或溴基气体中的一种或多种组合。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始掩膜层的厚度为300埃～800埃。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层邻近所述第二区的侧壁的厚度与所述掩膜层中心的厚度差为27埃～33埃。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为BN、TiN或氮化硅。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述功能层的材料包括氧化硅或低k介质材料；所述形成方法还包括：在所述沟槽中形成导电结构。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成功能层之前还包括：分别在所述第一区和第二区衬底中形成掺杂层；所述功能层覆盖所述掺杂层；所述沟槽底部暴露出第二区掺杂层；所述导电结构与所述第二掺杂层接触。