[发明专利]黑体辐射源及黑体辐射源的制备方法

说明书

本发明涉及一种黑体辐射源及一种黑体辐射源的制备方法。所述黑体辐射源包括一黑体辐射腔，该黑体辐射腔具有一内表面，其中，所述黑体辐射腔的内表面设置多个碳纳米管，且该多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面，所述多个碳纳米管远离所述内表面的一端形成所述多个碳纳米管的顶表面，所述多个碳纳米管的顶表面形成多个微结构。所述黑体辐射源的制备方法包括以下步骤：提供一黑体辐射腔，所述黑体辐射腔具有一内表面；在所述黑体辐射腔的内表面形成多个碳纳米管，所述多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面；在所述多个碳纳米管远离所述黑体辐射腔的内表面的顶表面形成多个微结构。

技术领域

本发明涉及一种黑体辐射源及黑体辐射源的制备方法，尤其涉及一种腔式黑体辐射源及腔式黑体辐射源的制备方法。

背景技术

随着红外遥感技术的快速发展，红外遥感被广泛应用于军事领域和地球勘探、天气预报、环境监测等民用领域。然而所有的红外探测仪器都需要经过黑体标定后方可使用，黑体作为标准辐射源，其作用日益突出，黑体的发射率越高，其标定红外探测仪器的精度越高。其中，腔式黑体的有效发射率主要取决于黑体腔的开口大小、黑体腔的形状、黑体腔内表面材料的发射率及腔内的等温程度等诸多条件。因此，选择高发射率的腔内表面材料，对获得高性能的黑体辐射源具有重要的意义。

发明内容

确有必要提供一种高发射率的腔式黑体辐射源及腔式黑体辐射源的制备方法。

一种黑体辐射源，其包括一黑体辐射腔，该黑体辐射腔具有一内表面，其中，所述黑体辐射腔的内表面设置多个碳纳米管，且该多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面，所述多个碳纳米管远离所述内表面的一端形成所述多个碳纳米管的顶表面，所述多个碳纳米管的顶表面形成多个微结构。

一种黑体辐射源的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一黑体辐射腔，所述黑体辐射腔具有一内表面；在所述黑体辐射腔的内表面形成多个碳纳米管，所述多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面；在所述多个碳纳米管远离所述黑体辐射腔的内表面的顶表面形成多个微结构。

与现有技术相比，本发明提供的黑体辐射源的黑体辐射腔内表面设置有多个碳纳米管，多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于黑体辐射腔的内表面，碳纳米管之间的微小间隙能够阻止入射进来的光从多个碳纳米管表面反射出去，碳纳米管的发射率高达99.6％，以碳纳米管材料为标准辐射源材料，该黑体辐射源具有较高的发射率；本发明采用碳纳米管材料为黑体辐射腔内表面材料，在同样的空腔有效发射率要求条件下，将大大缩小黑体辐射腔的深度，有利于实现黑体辐射源的小型化，适用范围广。而且，本发明提供的黑体辐射源的制备方法简单、易行。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的黑体辐射源的剖面结构示意图。

图2为本发明实施例二提供的黑体辐射源的剖面结构示意图。

图3为本发明实施例三提供的黑体辐射源的剖面结构示意图。

如下具体实施例将结合上述附图进一步说明本发明。

主要元件符号说明

黑体辐射源 10，20，30

黑体辐射腔 101，201，301

内表面 102，202，302

碳纳米管 103，203，303

黑漆 304

空洞 105，205，305

具体实施方式