[发明专利]薄膜体声波谐振器以及制造薄膜体声波谐振器的方法

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，包括：

第一电极，设置在基板上；

压电体，设置在所述第一电极上并包括添加有掺杂剂的AlN；以及

第二电极，设置在所述压电体上并与所述第一电极相对，使得所述压电体介于所述第二电极和所述第一电极之间，

其中，所述掺杂剂包括0.1原子％至24原子％的Ta和0.1原子％至23原子％的Nb中的任意一者。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其中，所述压电体中的Ta和Nb中的任意一者的重量百分含量小于所述压电体中的Al的重量百分含量。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其中，

在所述掺杂剂包括Ta的情况下，所述压电体包括AlN和AlTaN，或者

在所述掺杂剂包括Nb的情况下，所述压电体包括AlN和AlNbN。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其中，所述压电体不包括TaN和NbN中的任意一者。

5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其中，所述第一电极和所述第二电极中的任意一者包括导电金属和添加的元素，其中所述添加的元素包括Ta和Nb中的任意一者。

6.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器，其中，所述添加的元素与所述掺杂剂相同。

7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其中，所述第一电极和所述第二电极中的任意一者包括导电金属和添加的元素，其中所述添加的元素包括量为0.1原子％至30原子％的Ta和量为0.1原子％至30原子％的Nb中的任意一者。

8.一种制造薄膜体声波谐振器的方法，包括：

在基板上形成第一电极；

通过在氮气气氛下溅射单个靶而在所述第一电极上形成压电体，所述单个靶包括含有0.1原子％至24原子％的Ta的AlTa和含有0.1原子％至23原子％的Nb的AlNb中的任意一者；以及

在所述压电体上形成与所述第一电极相对的第二电极，使得所述压电体介于所述第二电极和所述第一电极之间。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，包括在所述单个靶中的Ta和Nb中的任意一者的重量百分含量小于包括在所述单个靶中的Al的重量百分含量。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，

在所述单个靶包括AlTa的情况下，所述压电体包括AlN和AlTaN，或者

在所述单个靶包括AlNb的情况下，所述压电体包括AlN和AlNbN。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述压电体不包括TaN和NbN中的任意一者。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，

在所述第一电极的形成中，所述第一电极包括导电金属和添加的元素，所述添加的元素包括Ta和Nb中的任意一者，或者

在所述第二电极的形成中，所述第二电极包括所述导电金属和所述添加的元素，所述添加的元素包括Ta和Nb中的任意一者。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，

在所述第一电极的形成中，在所述单个靶包括AlTa的情况下所述第一电极包括Ta，或在所述单个靶包括AlNb的情况下所述第一电极包括Nb，或者

在所述第二电极的形成中，在所述单个靶包括AlTa的情况下所述第二电极包括Ta，或在所述单个靶包括AlNb的情况下所述第二电极包括Nb。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，

在所述第一电极的形成中，所述第一电极包括导电金属和添加的元素，所述添加的元素包括量为0.1原子％至30原子％的Ta和量为0.1原子％至30原子％的Nb中的任意一者，或者

在所述第二电极的形成中，所述第二电极包括所述导电金属和所述添加的元素，所述添加的元素包括量为0.1％原子至30原子％的Ta和量为0.1％原子至30原子％的Nb中的任意一者。