[发明专利]一种双层共挤的功能化聚偏氟乙烯薄膜及其光伏电池背板的制备方法在审
申请号: | 201810028092.2 | 申请日: | 2018-01-11 |
公开(公告)号: | CN108346709A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 王同心;翁亚楠;薛群山;沈一春 | 申请(专利权)人: | 中天科技精密材料有限公司;江苏中天科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;H01L31/048 |
代理公司: | 南京品智知识产权代理事务所(普通合伙) 32310 | 代理人: | 奚晓宁;杨陈庆 |
地址: | 226009 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功能化 聚偏氟乙烯薄膜 内层 聚偏氟乙烯层 制备 光伏电池背板 双层共挤 单螺杆挤出机 内外层 粒料 太阳能光伏背板 双螺杆挤出机 外层原材料 高速混合 涂胶复合 自动薄膜 共挤 两层 熔融 造粒 复合 | ||
1.一种双层共挤的功能化聚偏氟乙烯薄膜,其特征在于,包括两层熔融共挤形成的内层和外层,所述内层为功能化聚偏氟乙烯层,外层为聚偏氟乙烯层。
2.根据权利要求1所述的一种双层共挤的功能化聚偏氟乙烯薄膜,其特征在于,所述的聚偏氟乙烯层的厚度为5-50微米,所述的功能化聚偏氟乙烯层的厚度为5-50微米。
3.根据权利要求1所述的一种双层共挤的功能化聚偏氟乙烯薄膜,其特征在于,所述的功能化聚偏氟乙烯层包括以下质量分的原料:聚偏氟乙烯30-70份、PMMA 1-20份、钛白粉1-20份、增粘剂1-30份、抗氧剂0.1-3份、抗紫外剂0.1-3份。
4.根据权利要求1所述的一种双层共挤的功能化聚偏氟乙烯薄膜,其特征在于,所述的聚偏氟乙烯层包括以下质量分的原料:聚偏氟乙烯30-80份、PMMA 1-20份、钛白粉1-20份、抗氧剂0.1-3份、抗紫外剂0.1-3份。
5.根据权利要求3所述的一种双层共挤的功能化聚偏氟乙烯薄膜,其特征在于,所述的增粘剂包括热塑性聚氨酯、极性基团改性的聚醋酸乙烯酯、极性基团改性的苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物、极性基团改性的苯乙烯-氢化丁二烯-苯乙烯共聚物、与马来酸酐共聚或接枝改性的聚合物、与丙烯酸或甲基丙烯酸缩水甘油酯共聚或接枝的聚合物中的一种或几种。
6.根据权利要求3或4所述的一种双层共挤的功能化聚偏氟乙烯薄膜,其特征在于,所述的抗氧剂为三(3,5-二叔丁基-4-羟基苄基)异氰脲酸酯、三乙二醇-双-[3-(3-叔丁基-4-羟基-5-甲基苯基)丙酸酯]、2,2’-亚甲基双-(4-甲基-6-叔丁基苯酚、4-4’-硫代双-(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、4-4’-丁基双-(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、癸二酸二(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)酯、亚磷酸三(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)酯、聚[(1-(β-乙基)-2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)丁二酸]、聚-{[6-[(1,1,3,3-四甲基丁基)-亚基]-1,3,5-三嗪-2,4-二基]、[2-(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-次氨基]-六亚甲基-[4-(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-次氨基]}中的一种或多种的组合。
7.根据权利要求3或4所述的一种双层共挤的功能化聚偏氟乙烯薄膜,其特征在于,所述的抗紫外剂为2,2’-二羟基-4,4’-二甲氧基二苯甲酮、2-羟基-5-氯二苯甲酮、2-(2’-羟基-5’-叔丁基苯基)苯并三唑、2-(2’-羟基-5’-氨苯基)苯并三唑、双水杨酸双酚A酯、2-(2-羟基-3,5-二叔戊基苯基)苯并三唑、2,2’-(1,4-亚苯基)双-4H-3,1-苯并噁嗪-4-酮、2-(2’-羟基-3’,5’-二甲基苯基)苯并三唑、2-(2’-甲基-4’-羟基苯基)苯并三唑、双-(2-甲氧基-4-羟基-5-苯甲酰基苯基)甲烷、2-(2’-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2’-羟基-5-甲基苯基)-5-羧酸丁基酯苯并三唑、2-羟基-4-烷氧基二苯甲酮、3,5-二叔丁基-4-羟基-苯甲酸十六烷基酯、三(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)亚磷酸酯、癸二酸双-2,2,6,6-四甲基哌啶醇酯、丁二酸和4-羟基-2,2,6,6-四甲基-1-哌啶醇的聚合物、N,N’-双(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-1,6-己二胺和2,4-二氯-6-(1,1,3,3-四甲基丁基)氨基-1,3,5-三嗪的聚合物、N,N’-双(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-1,6-己二胺和2,4-二氯-6-(4-吗啉基)-1,3,5-三嗪的聚合物中的一种或多种的组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的