[发明专利]场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201810028656.2 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108389890B | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 黄贤国;宋洵奕;王猛 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种场效应晶体管，其中，包括：
衬底；
第一阱区，位于所述衬底上；
第二阱区、位于所述第一阱区内；
体接触区、源区和漏区，位于所述第一阱区内，所述源区位于所述体接触区与所述漏区之间；以及
栅极导体，位于所述第一阱区上，
其中，所述衬底、第一阱区、所述第二阱区和体接触区为第一掺杂类型，所述源区和漏区为第二掺杂类型，所述第二阱区的掺杂浓度高于所述第一阱区的掺杂浓度，
在所述第一阱区中所述源区与所述漏区之间形成沟道，所述第二阱区形成寄生三极管的基区以减小所述寄生三极管的基区电阻，且所述第二阱区不影响所述沟道。
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述第二阱区至少位于在所述体接触区与所述源区之间。
3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，通过调节所述第一阱区的掺杂浓度来调节所述场效应晶体管的击穿电压，以及通过调节所述第二阱区的掺杂浓度来调节所述场效应晶体管的维持电压。
4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述第一掺杂类型为N型和P型之一，所述第二掺杂类型为N型和P型中另一个。
5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，所述场效应晶体管的击穿点发生在所述漏区与所述第一阱区交界处。
6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述第二阱区位于所述体接触区与所述源区之间，所述体接触区以及所述源区位于所述第一阱区内，所述栅极导体位于所述第一阱区上。
7.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述体接触区位于所述第二阱区内，所述源区位于所述第一阱区内，所述栅极导体位于所述第一阱区上。
8.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述体接触区位于所述第二阱区内，所述源区位于所述第一阱区以及第二阱区内，所述栅极导体位于所述第一阱区上。
9.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述体接触区以及所述源区位于所述第二阱区内，所述源区靠近所述栅极导体的一边与所述第二阱区靠近所述栅极导体的一边接近，使得所述栅极导体位于所述第一阱区上。
10.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述第二阱区比所述体接触区深。
11.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述体接触区、所述源区以及所述漏区的上表面暴露于所述阱区之外。
12.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，通过栅介质层将所述栅极导体的下表面与所述阱区的上表面隔开。
13.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，在所述体接触区与所述源区之间、所述体接触区与所述场效应晶体管的边缘之间、所述漏区与所述场效应晶体管的边缘之间还设有绝缘层。
14.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，还包括：
N阱区，位于所述衬底和阱区之间。
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