[发明专利]晶圆处理方法在审
| 申请号： | 201810029245.5 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108597982A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 高超 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/033;H01L21/304;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 刻蚀 牺牲层 芯片 硅刻蚀工艺 清洁工艺 面积利用率 刻蚀过程 颗粒物 减小 种晶 消耗 暴露 分割 | ||
1.一种晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆处理方法包括：
在待处理晶圆的正面形成牺牲层；
对形成所述牺牲层后的待处理晶圆进行第一刻蚀形成第一沟槽；
进行清洁工艺；
对所述第一刻蚀后的待处理晶圆进行第二刻蚀形成第二沟槽，所述第二刻蚀为深硅刻蚀工艺，所述第二沟槽在所述第一沟槽的槽底。
2.如权利要求1所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氧化硅。
3.如权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为
4.如权利要求1所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述第一刻蚀为层间刻蚀，所述层间刻蚀包括刻蚀所述牺牲层以及所述待处理晶圆上的钝化层和层间介质。
5.如权利要求1-4中任意一项所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述第一沟槽的宽度小于等于10um，所述第二沟槽的深度为130um～170um。
6.如权利要求1-4中任意一项所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述第二刻蚀包括采用为钝化气体的八氟环丁烷和为刻蚀气体的六氟化硫。
7.如权利要求1-4中任意一项所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述第二刻蚀包括：将所述牺牲层清除。
8.如权利要求1-4中任意一项所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述清洁工艺包括光刻胶灰化和湿法清洗。
9.如权利要求1-4中任意一项所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆处理方法还包括：在形成所述牺牲层之前，在待处理晶圆的正面进行钝化层刻蚀工艺。
10.如权利要求8所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述钝化层的材料为氮化硅。
11.如权利要求1-4中任意一项所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆处理方法还包括：在所述第二刻蚀后，对待处理晶圆进行探针测试。
12.如权利要求1-4中任意一项所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆处理方法还包括：在所述第二刻蚀后，对待处理晶圆的背面进行研磨工艺，所述研磨工艺研磨至第二沟槽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
