[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括TFET区以及CMOS区，所述TFET区和CMOS区的半导体衬底表面分别形成有TFET栅极以及CMOS栅极；

采用第一覆盖层覆盖所述TFET区，并在所述第一覆盖层的保护下在所述CMOS区内形成CMOS轻掺杂漏区，以及进行第一退火工艺处理；

去除所述第一覆盖层，形成TFET栅极侧墙以及CMOS栅极侧墙，所述TFET栅极侧墙覆盖所述TFET栅极的侧壁，所述CMOS栅极侧墙覆盖所述CMOS栅极的侧壁；

在所述TFET区和CMOS区形成源漏掺杂区，并进行第二退火工艺处理；

形成覆盖所述CMOS区的保护层，在所述保护层的保护下去除所述TFET栅极侧墙的至少一部分，并暴露出所述TFET栅极与所述TFET区的源漏掺杂区之间的半导体衬底；

在所述TFET区内形成TFET轻掺杂漏区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：

对所述TFET轻掺杂漏区进行第三退火工艺处理。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第三退火工艺选自：尖峰退火、闪灯退火或激光退火。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对所述TFET轻掺杂漏区进行第三退火工艺处理的工艺参数为：

退火温度为1000摄氏度至1500摄氏度；

退火时间为0.1毫秒至1分钟。

5.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：

形成金属硅化物，所述金属硅化物覆盖所述半导体衬底的表面。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述形成金属硅化物之前，还包括：

去除覆盖所述CMOS区的保护层。

7.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成金属硅化物包括：

在所述半导体衬底的表面沉积金属，以和所述半导体衬底、TFET栅极以及CMOS栅极反应形成所述金属硅化物。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述TFET区内形成TFET轻掺杂漏区之前，还包括：

去除覆盖所述CMOS区的保护层。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述TFET区内形成TFET轻掺杂漏区包括：

采用第二覆盖层覆盖所述TFET栅极以及所述TFET区的漏区，并在所述第二覆盖层的保护下在所述TFET区的源区内形成第一TFET轻掺杂漏区；

去除所述第二覆盖层；

采用第三覆盖层覆盖所述TFET栅极以及所述TFET区的源区，并在所述第三覆盖层的保护下在所述TFET区的漏区内形成第二TFET轻掺杂漏区；

去除所述第三覆盖层。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一TFET轻掺杂漏区与所述第二TFET轻掺杂漏区的掺杂离子分别为N型离子和P型离子。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述TFET区内形成TFET轻掺杂漏区的工艺参数为：

注入能量为0.5KeV至20KeV；

注入剂量为1E14atom/cm²至5E15atom/cm²；

注入角度为0度至7度。

12.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，

所述保护层的材料选自氧化硅以及无定形碳。