[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括器件面，所述器件面包括器件区和标记区；

在所述器件区形成第一器件结构和第二器件结构，并在所述标记区形成标记结构，所述标记结构具有第一旋转中心，所述标记结构绕垂直于所述器件面、且经过所述第一旋转中心的直线旋转第一角度后，所形成的结构与标记结构重合，所述第一角度大于零小于或等于180度，所述标记结构包括多个标记部，多个标记部围绕所述第一旋转中心均匀分布，所述标记部包括第一支部和第二支部，同一标记部中第一支部和第二支部为沿垂直于所述第一支部的延伸方向平行排列的条形，在形成所述第一器件结构的过程中形成所述第一支部，在形成所述第二器件结构的过程中，形成所述第二支部；

形成所述标记结构之后，在所述器件区上形成图形化的第一图形层，并在形成所述第一图形层的过程中在所述标记区形成测试标记，所述测试标记在所述器件面的投影图形中心相对于所述第一旋转中心在器件面的投影具有第一偏移矢量。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，单个标记部中第一支部的个数为多个，多个第一支部的延伸方向平行；单个标记部中第二支部的个数为多个，多个第一支部的延伸方向平行。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，单个标记部中第一支部和第二支部在器件面上的投影图形交替排列。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，单个标记部中第一支部的个数为4个～7个；单个标记部中第二支部的个数为4个～7个；相邻第一支部和第二支部中心之间的距离为0.9μm～1.1μm；所述第一支部的宽度为0.45μm～0.55μm；所述第二支部的宽度为0.45μm～0.55μm。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一支部为矩形，所述第二支部为矩形，所述第一支部与第二支部的宽度相等，且第一支部和第二支部的长度相等。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一图形层和所述测试标记之前，还包括：在所述器件区形成第四器件结构；各标记部还分别包括：第三支部，标记结构中所有标记部中的第三支部用于标记所述第四器件结构；同一标记部中的第一支部、第二支部和第三支部在器件面上的投影图形的中心共线，同一标记部中的第一支部、第二支部和第三支部在器件面上的投影图形的排列方向垂直于所述第一支部的延伸方向。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，单个标记部中所述第三支部的个数为1个～3个。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一器件结构位于所述器件区衬底中，所述第一支部位于所述衬底中；或者所述第一器件结构位于所述衬底上，所述第一支部位于所述衬底上；

所述第二器件结构位于所述器件区衬底中，所述第二支部位于所述衬底中；或者所述第二器件结构位于所述衬底上，所述第二支部位于所述衬底上。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一支部顶部到所述器件面的距离等于所述第二支部顶部到所述器件面的距离。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一支部位于所述标记区衬底中，所述第二支部位于所述标记区衬底中；

或者，形成所述标记结构之前，还包括：在所述衬底上形成第一功能层；所述第一支部为位于所述第一功能层中的第一开口；第二支部为位于所述第一功能层中的第二开口；

形成所述标记结构、第一器件结构和第二器件结构的步骤包括：对所述第一功能层进行刻蚀，在所述标记区第一功能层中形成第一支部，并去除部分器件区第一功能层在所述器件区衬底上形成第一器件结构；对所述第一功能层进行刻蚀，在所述标记区第一功能层中形成第二支部，并去除部分器件区第一功能层，在所述器件区衬底上形成第二器件结构。