[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括器件面，所述器件面包括器件区和标记区；

在所述器件区形成第一器件结构、第二器件结构，并在所述标记区形成标记结构，所述标记结构包括第一旋转中心，所述标记结构绕垂直于所述器件面、且经过所述第一旋转中心的直线旋转第一角度后，所形成的结构与所述标记结构重合，所述第一角度大于零小于或等于180度，所述标记结构包括多个标记部，多个标记部围绕所述第一旋转中心均匀分布，所述标记部包括支部组，所述支部组在所述器件面上的投影图形为条形，所述支部组包括第一支部和第二支部，所述第一支部和第二支部在所述器件面上的投影图形的排列方向平行于所述支部组在所述器件面上的投影图形的延伸方向，在形成所述第一器件结构的过程中形成所述第一支部，在形成所述第二器件结构的过程中形成所述第二支部；

形成所述标记结构之后，在所述器件区上形成图形化的第一图形层，并在形成所述第一图形层的过程中在所述标记区形成测试标记，所述测试标记在所述器件面的投影图形中心相对于所述第一旋转中心在器件面的投影具有第一偏移矢量。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，各标记部中支部组的个数为多个，各支部组平行排列。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述支部组的个数为5个～15个；相邻支部组中心之间的距离为0.9μm～1.1μm；所述支部组的宽度为0.45μm～0.55μm。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，各支部组的个数为一个，所述支部组为长方形，所述支部组的长为18μm～22μm；所述支部组的宽为0.9μm～11μm。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一支部为矩形，所述第二支部为矩形，所述第一支部与第二支部中相邻的边长度相等。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一图形层和所述测试标记之前，还包括：在所述器件区形成第四器件结构；各支部组还包括：第三支部，各支部组的第三支部用于标记所述第四器件结构；所述第一支部、第二支部和第三支部在器件面上的投影图形的排列方向平行于所述支部组在器件面上的投影图形的延伸方向。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，单个支部组中所述第三支部的个数为1个～3个。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一器件结构位于所述器件区衬底中，所述第一支部位于所述衬底中；或者所述第一器件结构位于所述衬底上，所述第一支部位于所述衬底上；

所述第二器件结构位于所述器件区衬底中，所述第二支部位于所述衬底中；或者所述第二器件结构位于所述衬底上，所述第二支部位于所述衬底上。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一支部顶部到所述器件面的距离等于所述第二支部顶部到所述器件面的距离。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一支部位于所述标记区衬底中，所述第二支部位于所述标记区衬底中；

或者，形成所述标记结构之前，还包括：在所述衬底上形成第一功能层；所述第一支部为位于所述第一功能层中的第一开口；第二支部为位于所述第一功能层中的第二开口。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述标记部的中心与所述第一旋转中心的连线垂直于所述支部组延伸方向；或者，所述标记部的中心与所述第一旋转中心的连线平行于所述支部组延伸方向；或者，所述标记部的中心与所述第一旋转中心的连线与所述支部组延伸方向具有锐角夹角。