[发明专利]薄膜晶体管和场效应二极管的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，依次包括下列步骤：

步骤S1)，在透明衬底的下表面制备不透明的掩膜图形；

步骤S2)，在所述透明衬底的上表面分别制备绝缘层、位于所述绝缘层的相对两侧的沟道层和栅电极、以及与所述沟道层相接触的源电极和漏电极；其中，第一次曝光以位于所述透明衬底的下表面的所述不透明的掩膜图形为掩膜进行自对准光刻制备栅电极与源漏电极中的一者，第二次曝光以位于所述透明衬底的下表面的所述不透明的掩膜图形作为掩膜进行自对准光刻制备栅电极与源漏电极中的另一者，制备所述栅电极的曝光剂量不同于制备所述源漏电极的曝光剂量，所述第一次曝光的曝光剂量大于所述第二次曝光的曝光剂量，以及

其中，通过控制自对准曝光的剂量或刻蚀的横向钻蚀长度，精确地控制栅电极和源漏电极之间的错排区域长度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2)中，依次包括如下步骤：

步骤S12)，以所述不透明的掩膜图形为掩膜进行第一次曝光，在所述透明衬底的上表面制备透明的栅电极；

步骤S13)，在所述透明的栅电极上形成透明的绝缘层；

步骤S14)，在所述透明的绝缘层上形成透明的沟道层；

步骤S15)，以所述不透明的掩膜图形作为掩膜进行第二次曝光，在所述透明的沟道层上形成源电极和漏电极。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，

所述步骤S12)包括：在所述透明衬底的上表面形成透明的栅电极层，在所述透明的栅电极层上旋涂光刻胶，以所述不透明的掩膜图形为掩膜进行第一次背面曝光，对所述透明的栅电极层进行刻蚀获得透明的栅电极；

所述步骤S15)包括：在所述透明的沟道层上旋涂光刻胶，以所述不透明的掩膜图形作为掩膜进行第二次背面曝光并形成光刻胶图形，在所述光刻胶图形和透明的沟道层上形成源漏电极层，去除所述光刻胶图形及其上的源漏电极层，通过光刻和刻蚀技术形成所述源电极和漏电极。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2)中，依次包括如下步骤：

步骤S22)，以所述不透明的掩膜图形为掩膜进行第一次曝光，在所述透明衬底的上表面制备透明的源电极和漏电极；

步骤S23)，在所述透明的源电极和漏电极上形成透明的沟道层；

步骤S24)，在所述透明的沟道层上形成透明的绝缘层；

步骤S25)，以所述不透明的掩膜图形作为掩膜进行第二次曝光，在所述透明的绝缘层上形成栅电极。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，

所述步骤S22)包括：在所述透明衬底的上表面形成透明的源漏电极层，在所述透明的源漏电极层上旋涂光刻胶，以所述不透明的掩膜图形为掩膜进行第一次背面曝光，对所述透明的源漏电极层刻蚀获得透明的源电极和漏电极；

所述步骤S25)包括：在所述透明的绝缘层上旋涂光刻胶，以所述不透明的掩膜图形作为掩膜进行第二次背面曝光并形成光刻胶图形，在所述光刻胶图形和透明的绝缘层上形成栅电极层，去除所述光刻胶图形及其上的栅电极层，通过光刻和刻蚀技术形成所述栅电极。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2)中，依次包括如下步骤：

步骤S32)，以所述不透明的掩膜图形为掩膜进行第一次曝光，在所述透明衬底的上表面制备透明的栅电极；

步骤S33)，在所述透明的栅电极上形成透明的绝缘层；

步骤S34)，以所述不透明的掩膜图形作为掩膜进行第二次曝光，在所述透明的绝缘层上形成源电极和漏电极；

步骤S35)，在所述源电极和漏电极之间形成沟道层。