[发明专利]包括浮置导电图案的半导体发光装置

说明书

本申请提供了一种包括浮置导电图案的半导体发光装置。所述半导体发光装置包括：第一半导体层，其包括凹陷区和突出区；布置在突出区上的有源层和第二半导体层；布置在第二半导体层上的接触结构；下绝缘图案，其覆盖第一半导体层和接触结构，并且具有第一开口和第二开口；第一导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第一开口中；第二导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第二开口中；以及浮置导电图案，其布置在下绝缘图案上。第一导电图案和第二导电图案以及浮置导电图案在相同的平面上具有相同的厚度。

相关申请的交叉引用

于2017年1月12日在韩国知识产权局提交的标题为“包括浮置导电图案的半导体发光装置”的韩国专利申请No.10-2017-0005361以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本公开涉及一种发光装置，并且更具体地说，涉及一种包括浮置导电图案的半导体发光装置。

背景技术

已知半导体发光装置是具有许多积极属性的下一代光源，所述积极属性例如寿命相对较长、低功耗、快响应速率、环保特性等。半导体发光装置已用作各种产品(例如，照明装置、显示装置的背光单元等)中的重要光源。

发明内容

根据本公开的一方面，一种半导体发光装置包括：第一半导体层，其包括凹陷区和突出区；有源层和第二半导体层，它们按次序堆叠在第一半导体层的突出区上；布置在第二半导体层上的接触结构；下绝缘图案，其覆盖第一半导体层和接触结构，并且具有暴露出第一半导体层的接触区的第一开口和暴露出接触结构的接触区的第二开口；第一导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至下绝缘图案的第一开口中，以电连接至第一半导体层的接触区；第二导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至下绝缘图案的第二开口中，以电连接至接触结构；以及浮置导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且与第一导电图案间隔开。第一导电图案和第二导电图案以及浮置导电图案在相同的平面上具有彼此相同的厚度。

根据本公开的一方面，一种半导体发光装置包括：第一半导体层，其包括第一区和第二区，并且包括当从上面观看时在逆时针方向上按次序排列的第一角、第二角、第三角和第四角；有源层和第二半导体层，它们按次序堆叠在第一半导体层的第二区上；布置在第二半导体层上的接触结构；下绝缘图案，其覆盖第一半导体层和接触结构，并且具有暴露出第一半导体层的接触区的第一开口和暴露出接触结构的接触区的第二开口；以及第一导电图案、第二导电图案和浮置导电图案，它们布置在下绝缘图案上，并且彼此间隔开。第一导电图案和第二导电图案以及浮置导电图案在相同的平面上具有彼此相同的厚度。第一导电图案延伸至下绝缘图案的第一开口中，以电连接至第一半导体层的接触区。第二导电图案延伸至下绝缘图案的第二开口中，以电连接至接触结构。浮置导电图案包括布置在第一角和第二角与第一导电图案之间的部分。

根据本公开的一方面，一种半导体发光装置包括：第一半导体层，其包括凹陷区和突出区；有源层和第二半导体层，它们按次序堆叠在第一半导体层的突出区上；布置在第二半导体层的上表面上的接触结构；下绝缘图案，其覆盖第一半导体层和接触结构，并且具有暴露出第一半导体层的接触区的第一开口和暴露出接触结构的接触区的第二开口；第一导电图案，其布置在下绝缘图案上并且延伸至下绝缘图案的第一开口中，以电连接至第一半导体层的接触区；第二导电图案，其布置在下绝缘图案上并且延伸至下绝缘图案的第二开口中，以电连接至接触结构；浮置导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且与第一导电图案间隔开。第一导电图案和第二导电图案以及浮置导电图案在相同的平面上具有彼此相同的厚度。