[发明专利]一种磁控高抗磁路的仿真方法及系统在审
| 申请号： | 201810032389.6 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108363834A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 郑伟杰 | 申请（专利权）人： | 中国电力科学研究院有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁控 高抗 磁路 非线性耦合 仿真模型 预先建立 直流电流 励磁 实时仿真计算 仿真计算 高斯函数 高斯系数 精度要求 连续函数 无功 暂态 输出 | ||
1.一种磁控高抗磁路的仿真方法，其特征在于：
获取磁控高抗磁路的实时励磁直流电流；
基于预先建立的仿真模型和所述实时励磁直流电流，进行仿真计算，获得磁控高抗输出无功；
其中，所述预先建立的仿真模型包括采用连续函数－高斯函数描述磁控高抗非线性耦合特性得到的高斯系数。
2.如权利要求1所述的仿真方法，其特征在于：所述基于预先建立的仿真模型和所述励磁直流电流，进行仿真计算，获得磁控高抗输出无功包括：
采集磁控高抗磁路的历史输出无功和历史励磁直流电流；
采用连续函数－高斯函数描述所述历史输出无功和历史励磁直流电流之间的非线性耦合特性；
对所述非线性耦合特性进行计算，得到高斯系数；
根据所述高斯系数和实时励磁直流电流，通过预先建立的仿真模型进行仿真计算，获得磁控高抗输出无功。
3.如权利要求2所述的仿真方法，其特征在于：所述高斯系数包括第一高斯系数λ、第二高斯系数ε和第三高斯系数γ；
所述仿真模型用下式表示：
其中：QMCSR为磁控高抗输出无功，I'为实时励磁直流电流。
4.如权利要求3所述的仿真方法，其特征在于：所述第三高斯系数γ用下式表示：
其中：ζi＝ln(avibi)表示振动加速度avib的N个中第i个值avibi的自然对数；Ii是历史励磁直流电流I的n个中第i个值。
5.如权利要求4所述的仿真方法，其特征在于：所述第二高斯系数ε用下式表示：
6.如权利要求5所述的仿真方法，其特征在于：所述第一高斯系数λ用下式表示：
7.一种磁控高抗磁路的仿真系统，其特征在于：
获取模块，用于获取磁控高抗磁路的实时励磁直流电流；
计算模块，用于基于预先建立的仿真模型和所述实时励磁直流电流，进行仿真计算，获得磁控高抗输出无功；
仿真模块，用于采用连续函数－高斯函数描述磁控高抗非线性耦合特性预先建立仿真模型得到的高斯系数。
8.如权利要求7所述的仿真系统，其特征在于：所述计算模块包括：
采集单元，用于采集磁控高抗磁路的历史输出无功和历史励磁直流电流；
描述单元，用于采用连续函数－高斯函数描述所述历史输出无功和历史励磁直流电流之间的非线性耦合特性；
计算单元，用于对所述非线性耦合特性进行计算，得到高斯系数；
根据高斯系数和实时励磁直流电流，通过预先建立的仿真模型进行仿真计算，获得磁控高抗输出无功。
9.如权利要求8所述的仿真系统，其特征在于：所述高斯系数包括第一高斯系数λ、第二高斯系数ε和第三高斯系数γ；
所述仿真模型用下式表示：
其中：QMCSR为磁控高抗输出无功，I'为实时励磁直流电流。
10.如权利要求9所述的仿真系统，其特征在于：所述第三高斯系数γ用下式表示：
其中：ζi＝ln(avibi)表示振动加速度avib的N个中第i个值avibi的自然对数；Ii是历史励磁直流电流I的n个中第i个值。
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