[发明专利]一种使用相变材料和磁致伸缩材料的薄膜太赫兹光源

权利要求书

1.一种使用相变材料和磁致伸缩材料的薄膜太赫兹光源的制备方法，其特征在于，所述的薄膜太赫兹光源至少包括磁致伸缩薄膜、相变材料薄膜、隔热层和防氧化层；磁致伸缩薄膜与相变材料薄膜叠加，且在两薄膜之间夹有隔热层，最上层磁致伸缩薄膜上还有防氧化层；相变材料为能够使用激光激发或电激发，在晶态和非晶态之间来回变换的材料；

制备方法包括以下步骤：

(1)清洗基底，先后将基底置于丙酮、乙醇、异丙醇、甲醇中进行超声波清洗，之后用去离子水冲洗；

(2)使用磁控溅射技术，在基底表面蒸镀相变薄膜层；

(3)将步骤(2)得到的相变薄膜层进行退火晶化；

(4)使用磁控溅射技术，在相变薄膜层上蒸镀中间隔热层；

(5)使用磁控溅射技术，在中间隔热层上蒸镀磁致伸缩薄膜层；

(6)使用磁控溅射技术，在磁致伸缩薄膜上蒸镀防氧化层；

(7)将步骤(6)所得样品放入外磁场中，施加延FGB易磁化方向的磁场，使其磁化。

2.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于，相变材料为GaSbTe-225(简称GST)；磁致伸缩薄膜选自Fe7Ga2B1(简称FGB)合金、Fe-Co合金。

3.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过调节所述相变材料的相变频率达到太赫兹级别来辐射出太赫兹光波。

4.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过调节所述磁致伸缩薄膜厚度是所要求太赫兹光半波长的整数倍。

5.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于，相变材料薄膜的厚度为10nm-1微米。

6.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于，隔热层和防氧化层均为Al₂O₃氧化层。

7.按照权利要求6所述的制备方法，其特征在于，隔热层和防氧化层厚度为10nm-1微米。

8.按照权利要求6所述的制备方法，其特征在于，还包括基底，在基底上为相变材料，相变材料上为隔热层，隔热层上为磁致伸缩薄膜，磁致伸缩薄膜上为防氧化层。