[发明专利]一种SnS2

权利要求书

1.一种SnS₂薄膜锂电池负极，其特征在于，包括集流体，复合在集流体表面的金属缓冲层，以及复合在金属缓冲层上的活性物质层；

所述的金属缓冲层的材料为晶格常数在3.6-4.7之间具有导电性的金属；

所述的活性物质层的材料为暴露(0,0,1)晶面的SnS₂；

所述的金属缓冲层的材料为Cu，Ti，Pt，Cr中的至少一种；

所述的集流体为铜箔、不锈钢、镍箔、铁箔、钼箔、锌箔、镍钛合金或贵金属箔片；

所述的金属缓冲层的厚度为10-50nm；所述的活性物质层的厚度为200-500nm。

2.一种权利要求1所述的SnS₂薄膜锂电池负极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(1)：利用磁控溅射在集流体表面溅射金属缓冲层的材料，在集流体表面形成金属缓冲层；所述缓冲层的材料为Cu，Ti，Pt，Cr中的一种或几种，溅射的缓冲层的厚度为10-50nm；

步骤(2)：将复合有金属缓冲层的集流体作为基底，用Sn作为靶材，在包含H₂S的气氛内反应溅射、在金属缓冲层上形成活性物质层；反应溅射过程的40-80W；所述的包含H₂S的气氛为H₂S气氛，或者为H₂S-惰性气体的混合气氛；

H₂S-惰性气体的混合气氛中，惰性气体/H₂S的比例为1:10-10:1；反应溅射的活性物质层的厚度为200-500nm；

步骤(3)：将步骤(2)得到的材料进行退火处理，得到所述的SnS₂薄膜锂电池负极；

退火处理的温度为500-800℃。

3.如权利要求2所述的SnS₂薄膜锂电池负极的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，溅射功率为10-50W，溅射时间为10-30mins。

4.如权利要求2所述的SnS₂薄膜锂电池负极的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，反应溅射的时间为10-60mins。

5.如权利要求2所述的SnS₂薄膜锂电池负极的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述的退火在保护性气氛下进行，退火保温时间为30-180mins。

6.一种权利要求1所述的SnS₂薄膜锂电池负极或者权利要求2～5任一项所述的制备方法制得的SnS₂薄膜锂电池负极的应用，其特征在于，用作膜负极，和隔膜、膜正极组装成薄膜锂电池。