[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在一次沉积工艺中形成非晶硅层和覆盖所述非晶硅层的绝缘层；

对所述非晶硅层进行处理，以使所述非晶硅层变成多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

所述在一次沉积工艺中形成非晶硅层和覆盖所述非晶硅层的绝缘层的步骤，包括：

通入第一混合气体，沉积所述非晶硅层；

通入第二混合气体，在所述非晶硅层上沉积所述绝缘层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，

所述第一混合气体为SiH₄和H₂的混合气体。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，

所述第二混合气体为SiH₄和NH₃的混合气体。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

所述对所述非晶硅层进行处理，以使所述非晶硅层变成多晶硅层的步骤，包括：

对所述非晶硅层进行去氢处理；

对去氢后的所述非晶硅层进行准分子镭射退火处理，以将所述非晶硅层变成多晶硅层。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

所述在一次沉积工艺中形成非晶硅层和覆盖所述非晶硅层的绝缘层的步骤之前，还包括：

提供一基板；

在所述基板上形成缓冲层；

所述在一次沉积工艺中形成非晶硅层和覆盖所述非晶硅层的绝缘层的步骤，具体为：

在一次沉积工艺中在所述缓冲层上形成非晶硅层和覆盖所述非晶硅层的绝缘层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，

所述对所述非晶硅层进行处理，以使所述非晶硅层变成多晶硅层的步骤之后，还包括：

在所述绝缘层上形成栅极；

在所述绝缘层和所述栅极上形成介电层；

在所述介电层和所述绝缘层上形成过孔，以使所述多晶硅层部分裸露；

在所述介电层上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述过孔连接所述多晶硅层。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，

所述栅极为金属Mo；或

所述源极和所述漏极为层叠设置的金属Ti、金属Al和金属Ti。

9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板是采用如权利要求1-8任一项所述的制作方法制作得到的。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求9所述的阵列基板。