[发明专利]一种硫化铅敏化氧化铟锡光电阴极的简单制备方法

权利要求书

1.一种硫化铅敏化的氧化铟锡光电阴极，其特征在于，所述硫化铅敏化的氧化铟锡光电阴极是由导电基质FTO玻璃、氧化铟锡和硫化铅组成的。

2.根据权利要求1所述的硫化铅敏化的氧化铟锡光电阴极，其特征在于，所述硫化铅敏化的氧化铟锡光电阴极是以由导电基质FTO玻璃为载体，氧化铟锡附着在导电基质FTO玻璃表面，硫化铅附着在氧化铟锡外层。

3.权利要求1或2所述硫化铅敏化的氧化铟锡光电阴极的制备方法，其特征在于，所述方法具体步骤如下：

(1)导电基质FTO玻璃的清洗；

(2)氧化铟锡薄膜的制备；

(3)合成和沉积硫化铅在氧化铟锡薄膜上。

4.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述步骤(1)中导电基质FTO玻璃的清洗方法：将FTO玻璃放入氢氧化钾的异丙醇溶液中，在回流的条件下煮沸20-50分钟，随后取出分别在去离子水、丙酮及乙醇中超声多次，取出后在干燥箱中90-120℃干燥10-40分钟，取出备用。

5.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述步骤(2)氧化铟锡薄膜的制备方法为：使用旋涂的方法把氧化铟锡旋涂液覆盖在FTO导电玻璃上，制备出FTO/ITO薄膜电极。

6.根据权利要求5所述方法，其特征在于，所述氧化铟锡旋涂液配制方法为：将无水乙醇加入一定量的8-12w.t％乙基纤维素乙醇溶液超声10-30分钟至溶解，再加入一定量松油醇超声10-30分钟溶解，最后称取适量氧化铟锡纳米粉末加入溶液中超声分散均匀，形成悬浮液。

7.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述步骤(3)成和沉积硫化铅在氧化铟锡薄膜上方法：硫化铅沉积在氧化铟锡表面是通过采用离子交替吸附(SILAR)的方法，将制备好的氧化铟锡覆盖的FTO玻璃依次浸入适量Lcy-Pb²⁺水溶液和适量S^2-水溶液中，浸泡，然后取出水洗，依次循环几次既可以得到硫化铅敏化的氧化铟锡电极，通过循环的次数来调控PbS层的厚度，最后在室温下干燥，即制备出FTO/ITO/PbS电极。

8.根据权利要求7所述方法，其特征在于，所述Lcy-Pb²⁺水溶液的浓度为1mM-0.1M，S^2-水溶液的浓度为1mM-0.1M。

9.根据权利要求7所述方法，所述浸泡时间为0.5-10min，循环次数为1-10。

10.权利要求1所述的硫化铅敏化的氧化铟锡光电阴极在制备半导体光电阴极材料上应用。