[发明专利]极紫外(EUV)光刻掩模

权利要求书

1.一种极紫外掩模结构，包括：

反射层；

位于所述反射层上的覆盖材料层；

位于所述覆盖材料层上的缓冲层，所述缓冲层为基于Ta的材料；

位于所述缓冲层上的交替吸收体层，其中所述交替吸收体层被设置为所述交替吸收体层的第一基于Ni的吸收体层位于所述缓冲层上，所述交替吸收体层的第二基于Ni的吸收体层为所述交替吸收体层的顶层，以及所述交替吸收体层的基于Ta的吸收体层位于所述第一基于Ni的吸收体层与所述第二基于Ni的吸收体层之间；

位于所述交替吸收体层的顶部上的基于Ta的材料的覆盖层，所述覆盖层在所述第二基于Ni的吸收体层上；以及

位于所述覆盖材料层、所述缓冲层、所述交替吸收体层、所述覆盖层中的图案，所述图案暴露所述反射层的顶表面，

其中所述缓冲层、所述交替吸收体层和所述覆盖层的总厚度被配置为降低对于6°的入射EUV光的遮蔽效应的严重度。

2.根据权利要求1所述的极紫外掩模结构，其中所述反射层为Mo/Si，所述覆盖材料层为Ru。

3.根据权利要求1所述的极紫外掩模结构，其中所述缓冲层是TaN或TaBN材料。

4.根据权利要求1所述的极紫外掩模结构，其中所述交替吸收体层包括插入在所述第一基于Ni的吸收体层与所述第二基于Ni的吸收体层之间的附加的基于Ni的吸收体层和基于Ta的吸收体层。

5.根据权利要求1所述的极紫外掩模结构，其中所述第一基于Ni的吸收体层直接沉积在所述缓冲层上，并且所述缓冲层直接沉积在所述覆盖材料上。

6.根据权利要求1所述的极紫外掩模结构，其中所述交替吸收体层中的每一个具有1nm至10nm的厚度。

7.根据权利要求6所述的极紫外掩模结构，其中所述交替吸收体层中的每一个具有2nm至4nm的厚度。

8.一种极紫外掩模结构，包括：

Mo/Si的多层反射层；

直接位于所述多层反射层上的覆盖材料层；

直接位于所述覆盖材料层上的缓冲层，所述缓冲层为基于Ta的材料；

位于所述缓冲层上的基于Ni的材料和基于Ta的材料的交替吸收体层，其中所述交替吸收体层被设置为所述交替吸收体层的第一基于Ni的吸收体层位于所述缓冲层上，所述交替吸收体层的第二基于Ni的吸收体层为所述交替吸收体层的顶层，以及所述交替吸收体层的基于Ta的吸收体层位于所述第一基于Ni的吸收体层与所述第二基于Ni的吸收体层之间；

位于所述交替吸收体层的顶部上的基于Ta的材料的覆盖层，所述覆盖层在所述第二基于Ni的吸收体层上；以及

位于所述覆盖材料层、所述缓冲层、所述交替吸收体层、所述覆盖层中的图案，所述图案暴露所述反射层的顶表面，

其中所述缓冲层、所述交替吸收体层和所述覆盖层的总厚度被配置为降低对于6°的入射EUV光的遮蔽效应的严重度。

9.根据权利要求8所述的极紫外掩模结构，其中所述覆盖材料层是Ru。

10.根据权利要求9所述的极紫外掩模结构，其中所述交替吸收体层包括插入在所述第一基于Ni的吸收体层与所述第二基于Ni的吸收体层之间的与附加的基于Ni的吸收体层交替的附加的基于Ta的吸收体层。

11.根据权利要求10所述的极紫外掩模结构，其中所述第一基于Ni的吸收体层直接沉积在所述缓冲层上。

12.根据权利要求8所述的极紫外掩模结构，其中所述交替吸收体层中的每一个具有1nm至10nm的厚度。

13.根据权利要求12所述的极紫外掩模结构，其中所述交替吸收体层中的每一个具有2nm至4nm的厚度。