[发明专利]一种高性能钙钛矿/有机半导体异质结型光电探测器

权利要求书

1.一种高性能钙钛矿/有机半导体异质结型光电探测器，其特征在于，通过叠层制备工艺制备，其结构由下至上依次为：透明底电极层，有机半导体和钙钛矿功能层，顶电极层；其中：

所述透明底电极层位于衬底之上，为金属氧化物、超薄金属或者导电有机材料PEDOT：PSS；其中，金属氧化物包括氧化铟锡ITO、氟化的氧化锡FTO；

所述有机半导体和钙钛矿功能层位于透明底电极层的上方，由下至上依次为空穴型有机半导体、钙钛矿、空穴型有机半导体，或者为电子型有机半导体、钙钛矿、电子型有机半导体；钙钛矿和有机半导体层构成两个异质结；

所述顶电极在有机半导体和钙钛矿功能层上方，为金属金或者金属银，厚度50-200纳米。

2.根据权利要求1所述的高性能钙钛矿/有机半导体异质结型光电探测器，其特征在于，所述透明底电极材料采用金属氧化物ITO、FTO时，其厚度为100-200纳米，方块电阻小于10Ω/□；透明底电极采用超薄金属时，其厚度小于20纳米；透明电极采用PEDOT：PSS时，其厚度在80-150纳米。

3.根据权利要求1或2所述的高性能钙钛矿/有机半导体异质结型光电探测器，其特征在于，所述有机半导体和钙钛矿功能层中，下层有机半导体为空穴传输层材料或者电子传输层材料；其中，空穴传输层材料为Spiro-OMeTAD、CuPc，厚度为50-80纳米；电子传输层材料为ZnO、PCBM或者C60，厚度为50-80纳米；

上层有机半导体为空穴传输层材料或者电子传输层材料；其中，空穴传输层材料为Spiro-OMeTAD或CuPc，厚度为50-80纳米；电子传输层材料为PCBM或者C₆₀，厚度为50-80纳米；

中间的钙钛矿为吸光层，材料选自CH₃NH₃PBI₃、CH₃NH₃PBI_3-XCl_x，厚度为200-330纳米。

4.根据权利要求3所述的高性能钙钛矿/有机半导体异质结型光电探测器，其特征在于，所述顶电极在有机半导体和钙钛矿功能层上方，为金属金或者金属银，厚度50-200纳米。

5.根据权利要求1、2或4所述的高性能钙钛矿/有机半导体异质结型光电探测器，其特征在于，所述透明衬底材料为玻璃、石英、柔性PET或者PEN。