[发明专利]一种IGBT功率模块结温动态预测方法有效

专利信息
申请号: 201810036617.7 申请日: 2018-01-15
公开(公告)号: CN108108573B 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 张承宁;辛欣;张硕 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;G06F30/18
代理公司: 北京市诚辉律师事务所 11430 代理人: 范盈
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 igbt 功率 模块 动态 预测 方法
【权利要求书】:

1.一种IGBT功率模块结温动态预测方法,其特征在于:具体包括以下步骤:

步骤1、根据电机的运行状态得到电机第一个工作点下的转矩和转速;

步骤2、建立电机工作点解析模型;将所述步骤1中得到的所述转矩和转速输入所建立的电机工作点解析模型,得到dq轴电流电压值,继而获得逆变器输出三相电流电压、开关信号;储存驱动端栅极电阻、开关频率及DC端直流母线电压信息;

步骤3、建立IGBT功率模块的损耗计算模型;设定所述功率模块中的IGBT以及反并联二极管FWD的初始温度,并将所述步骤2中的各参数输入所建立的所述损耗计算模型,得到所述IGBT以及反并联二极管FWD的损耗值;具体包括:

IGBT功率模块的损耗PModule包括:IGBT工作时产生的通态损耗PIGBT_con和开关暂态时候的开通损耗PIGBT_on、关断损耗PIGBT_off;FWD工作时的通态损耗PFWD_con以及反向恢复损耗PFWD_re

PModule=PIGBT_con+PIGBT_on+PIGBT_off+PFWD_con+PFWD_re

IGBT和FWD导通时的通态压降VCE和VD由各自的门槛电压VCEO、VDO以及通态电阻Rch、Rd产生的压降两部分组成,且与温度实际温度T相关,其关系表示如下:

VD(T)=VDO(T0)+bD·(T-T0)+Rd(T)·ID2

式中,T0为参考温度,IC和ID分别为通过IGBT和FWD的电流,其中,bT、m和bD均为通过曲线拟合出的温度相关项;

计算得到通态损耗,其中DT和DD为IGBT和FWD在单位开关周期内的占空比:

PIGBT_con=(VCEO(T)·IC+Rch(T)IC2)·DT

PFWD_con=(VDO(T)ID+Rd(T)ID2)·DD

在开关频率为fsw时,IGBT的开通功率损耗PIGBT_on、关断功率损耗PIGBT_off及FWD的反向恢复功率损耗PFWD_re表示如下:

PIGBT_on=fsw·EIGBT_on

PIGBT_off=fsw·EIGBT_off

PFWD_re=fsw·EFWD_re

其中,

其中,EIGBT_on为IGBT的开通能量损耗、EIGBT_off为IGBT的关断能量损耗、EFWD_re为FWD的反向恢复能量损耗,aon、bon、con、aoff、boff、coff、are、bre、cre为拟合常数,kon、koff、kre为温度相关项,Eon(Rg)、Eoff(Rg)、Eoff(Rg)和Eon(Rrated)、Eoff(Rrated)、Eoff(Rrated)分别为实际栅极电阻和参考栅极电阻下对应的IGBT的开通与关断能量能耗、FWD的反向恢复能量损耗,VDC_rated为参考直流母线值;

步骤4、建立IGBT功率模块的热阻网络模型;将所述步骤3中得到的所述损耗值输入所述热阻网络模型,得到当前电机工作点所对应的结温;

步骤5、将所述步骤4中得到的结温反馈输入所述IGBT功率模块的损耗计算模型,实现工况应用下的动态结温预测。

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