[发明专利]有机场致发光元件用组合物和有机场致发光元件有效
申请号: | 201810039186.X | 申请日: | 2013-04-08 |
公开(公告)号: | CN108615824B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 水上润二;清水渡;竹本洋己 | 申请(专利权)人: | 三菱化学株式会社 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/50;C08G73/02;C09D179/02;C09K11/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;金世煜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 机场 发光 元件 组合 | ||
1.一种有机场致发光元件用组合物的制造方法,是用于形成选自有机场致发光元件的发光层、空穴注入层和空穴输送层中的至少1层的有机场致发光元件用组合物的制造方法,
包括将重均分子量3000~1000000的芳香族胺系聚合物与有机溶剂进行混合使其溶解的工序,所述有机溶剂是作为芳香族酯的酯系有机溶剂,
所述组合物中的Zn浓度小于0.5重量ppm,
所述组合物中的S浓度小于20重量ppm,
所述作为芳香族酯的酯系有机溶剂在与芳香族胺系聚合物混合前用离子去除剂进行精制而减少S浓度。
2.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法,其中,所述有机场致发光元件用组合物是用于形成有机场致发光元件的空穴注入层和空穴输送层中的至少1层的组合物。
3.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法,其中,所述Zn浓度小于0.1重量ppm。
4.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法,其中,所述组合物中的Zn浓度在检测极限以下。
5.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法,其中,所述组合物1ml中所含的长径0.1μm以上的含Zn异物的数目为50000个以下。
6.根据权利要求5所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法,其中,所述含Zn异物的数目为20000个以下。
7.根据权利要求5所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法,其中,所述含Zn异物的数目为10000个以下。
8.根据权利要求5所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法,其中,不存在所述含Zn异物。
9.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法,其中,所述芳香族胺系聚合物是溶解于有机溶剂而形成液体的状态后,使其与pH为0~5的酸性水溶液接触,通过液液萃取将杂质萃取到水溶液侧而除去的芳香族胺系聚合物。
10.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法,其中,所述芳香族胺系聚合物是溶解于有机溶剂而形成液体的状态后,使其与酸性阳离子交换树脂接触而除去了金属离子的芳香族胺系聚合物。
11.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法,其中,所述组合物中的S浓度小于5重量ppm。
12.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法,其中,所述组合物中的S浓度小于1重量ppm。
13.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法,其中,存在于所述组合物中的S来自有机化合物。
14.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法,其中,所述芳香族胺系聚合物是溶解于有机溶剂而形成液体的状态后,使其与碱性阴离子交换树脂接触而除去了阴离子性杂质的芳香族胺系聚合物。
15.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法,其中,所述芳香族胺系聚合物是溶解于有机溶剂而形成液体的状态后,使其与由金属氧化物的金属盐构成的无机离子交换树脂接触而除去了离子的芳香族胺系聚合物。
16.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法,其中,所述芳香族胺系聚合物是溶解于有机溶剂而形成液体的状态后,使其与活性炭、活性白土、二氧化硅或硅胶接触而除去了离子的芳香族胺系聚合物。
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