[发明专利]显示装置制造用相移掩模坯料、显示装置制造用相移掩模的制造方法及显示装置的制造方法有效
申请号: | 201810039303.2 | 申请日: | 2018-01-16 |
公开(公告)号: | CN108319104B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 坪井诚治 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王利波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 相移 坯料 方法 | ||
1.一种相移掩模坯料,其是用于制造显示装置的相移掩模坯料,该相移掩模坯料具备:
透明基板、和
形成在该透明基板上的相移膜,
其中,
所述相移膜由2层以上的叠层膜形成,
所述相移膜至少具有相移层和金属层,所述相移层主要具有调整对于曝光光的透射率和相位差的功能,所述金属层形成在所述相移层上,且具有调整对波长365nm以上且436nm以下范围的透射率波长依赖性的功能,
所述相移膜中,所述相移膜对于曝光光的透射率和相位差具有给定的光学特性,
所述相移层由包含金属、硅和选自氮及氧中的至少一种的材料形成,
所述金属层由下述材料形成:由金属和硅构成的材料、或者由金属、硅和选自碳、氟、氮、氧中的至少一种构成的材料,
所述金属层所含的金属的含有率高于所述相移层所含的金属的含有率,或者,所述金属层所含的金属和硅的总含有率高于所述相移层所含的金属和硅的总含有率,
所述相移膜在波长365nm的透射率为15%以上且50%以下的范围,
所述相移膜在波长365nm以上且436nm以下范围的透射率波长依赖性为5.5%以内。
2.一种相移掩模坯料,其是用于制造显示装置的相移掩模坯料,该相移掩模坯料具备:
透明基板、和
形成在该透明基板上的相移膜,
所述相移膜具有相移层、减反射层和金属层,所述相移层主要具有调整对于曝光光的透射率和相位差的功能,所述减反射层配置于该相移层的上侧,具有降低对于从所述相移膜的表面侧入射的光的反射率的功能,所述金属层配置于所述相移层和所述减反射层之间,具有调整对波长365nm以上且436nm以下范围的透射率波长依赖性的功能,
通过所述相移层、所述金属层及所述减反射层的叠层结构,所述相移膜对于曝光光的透射率和相位差具有给定的光学特性,
所述相移层由包含金属、硅和选自氮及氧中的至少一种的材料形成,
所述金属层由下述材料形成:由金属和硅构成的材料、或者由金属、硅和选自碳、氟、氮、氧中的至少一种构成的材料,
所述金属层所含的金属的含有率高于所述相移层所含的金属的含有率,或者,所述金属层所含的金属和硅的总含有率高于所述相移层所含的金属和硅的总含有率,
所述相移膜在波长365nm的透射率为15%以上且50%以下的范围,
所述相移膜在波长365nm以上且436nm以下范围的透射率波长依赖性为5.5%以内。
3.根据权利要求2所述的相移掩模坯料,其中,所述相移膜中,所述相移膜对于从所述相移膜的表面侧入射的光的表面反射率在365nm~436nm的波长范围为10%以下。
4.根据权利要求2所述的相移掩模坯料,其中,所述相移膜中,所述相移膜对于从所述相移膜的表面侧入射的光的表面反射率在350nm~436nm的波长范围为15%以下。
5.根据权利要求1或2所述的相移掩模坯料,其中,所述相移膜对于从所述透明基板的背面侧入射的光的背面反射率在365nm~436nm的波长范围为20%以上。
6.根据权利要求2所述的相移掩模坯料,其中,所述减反射层由包含金属和选自氮、氧及碳中的至少一种的材料形成。
7.根据权利要求2所述的相移掩模坯料,其中,所述减反射层由包含金属、硅和选自氮、氧及碳中的至少一种的材料形成。
8.根据权利要求2所述的相移掩模坯料,其中,
构成所述相移层的金属为Zr、Mo、Ti、Ta及W中的任意一种金属,
构成所述金属层的金属为Zr、Mo、Ti、Ta及W中的任意一种金属,
构成所述减反射层的金属为Zr、Mo、Cr、Ti、Ta及W中的任意一种金属。
9.根据权利要求2所述的相移掩模坯料,其中,构成所述相移层及所述金属层的各层的金属为同一金属。
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