[发明专利]一种具有双层氧化物层的阻变存储器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810039738.7 | 申请日： | 2018-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108198936A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李钦;胡浩威 | 申请（专利权）人： | 安徽建筑大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 安徽深蓝律师事务所 34133 | 代理人： | 汪锋 |
| 地址： | 230601 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阻变存储器件 双层氧化物 制备 微电子制造技术 电子束蒸发 阻变存储层 阻变存储器 磁控溅射 存储器件 堆叠结构 工艺过程 两端电极 器件结构 十字交叉 选通单元 整流特性 制造成本 底电极 顶电极 高集成 自整流 串扰 三维 | ||
1.一种具有双层氧化物层的阻变存储器件，其特征在于：该存储器件具有自整流存储特性，该器件采用三层夹层式结构，分别为顶电极、底电极及阻变存储层，所述阻变存储层由InmGanZnkO氧化层与TaOx氧化层的结构组成。
2.根据权利要求1所述的具有双层氧化物层的阻变存储器件，其特征在于：所述的InmGanZnkO氧化层的特征厚度为5～50nm，TaOx氧化层的特征厚度为5～50nm。
3.根据权利要求1所述的具有双层氧化物层的阻变存储器件，其特征在于：所述的顶电极采用活泼金属或活泼金属的合金材料，其特征厚度为10～500nm。
4.根据权利要求1所述的具有双层氧化物层的阻变存储器件，其特征在于：所述的底电极采用惰性金属材料，其特征厚度为10～500nm。
5.一种具有双层氧化物层的阻变存储器件的制备方法，其特征在于：所述的顶电极与底电极均采用磁控溅射或电子束蒸发方式制备，阻变存储层采用磁控溅射方式制备。
6.根据权利要求5所述的具有双层氧化物层的阻变存储器件的制备方法，其特征在于：磁控溅射制备InmGanZnkO氧化层的InGaZnO靶材的纯度＞99.99％，金属元素的原子比In:Ga:Zn＝1:1:1或1:2:2或2:2:1。
7.根据权利要求5所述的具有双层氧化物层的阻变存储器件的制备方法，其特征在于：磁控溅射制备TaOx膜层的TaO靶材的纯度＞99.99％，且0.5≤x≤3。
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