[发明专利]一种磁电阻复合材料在审
| 申请号： | 201810039871.2 | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN108281545A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 贾艳敏;马江平;尤慧琳;徐晓莉 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10 |
| 代理公司： | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人： | 陆晓鹰 |
| 地址： | 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合材料 磁致伸缩材料 阻抗材料 磁电阻 磁致伸缩效应 应力阻抗效应 磁电阻效应 磁阻抗效应 乘积效应 复合 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁电阻复合材料，其特征在于：该磁电阻复合材料由磁致伸缩材料和压阻抗材料进行层状复合而成。
2.如权利要求1所述的一种磁电阻复合材料，其特征在于：所述磁致伸缩材料与压阻抗材料粘接复合。
3.如权利要求2所述的一种磁电阻复合材料，其特征在于：所述磁致伸缩材料为稀土超磁致伸缩材料。
4.如权利要求3所述的一种磁电阻复合材料，其特征在于：所述磁致伸缩材料为Terfenol-D。
5.如权利要求2所述的一种磁电阻复合材料，其特征在于：所述压阻抗材料为半导体材料。
6.如权利要求5所述的一种磁电阻复合材料，其特征在于：所述压阻抗材料是纯度为99.9999%的半导体单晶硅。
7.如权利要求1所述的一种磁电阻复合材料，其特征在于：所述的层状复合结构可由一层磁致伸缩材料与压阻抗材料复合，或者也可采用多层磁致伸缩材料与一层压阻抗材料复合。
8.如权利要求3所述的一种磁电阻复合材料，其特征在于：所述Terfenol-D其组成成分为Tb1-xDyxFe2，其中0.68≤x≤0.73。
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