[发明专利]一种新型的背接触异质结电池及其制作方法

权利要求书

1.一种新型的背接触异质结电池，其特征在于：包括硅基体片，所述硅基体片的受光面依次设置半导体钝化层、第一半导体层和减反射层，所述硅基体片的背光面设置半导体钝化层，所述半导体钝化层上交错排列着第一半导体层和第二半导体与第一半导体的叠层，所述第一半导体层和叠层上分别设置有透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上设置有电极，所述第一半导体层与叠层之间设置有绝缘隔离层，所述第二半导体层与第一半导体层之间形成带间隧穿接触。

2.根据权利要求1所述一种新型的背接触异质结电池，其特征在于：所述硅基体片为为P型单晶硅或N型单晶硅。

3.根据权利要求1所述一种新型的背接触异质结电池，其特征在于：所述半导体钝化层为氢化非晶硅层，厚度控制在3～15nm。

4.根据权利要求1所述一种新型的背接触异质结电池，其特征在于：所述第一半导体层和第二半导体层为N型非晶硅掺杂层或P型非掺杂层，若硅基体片为N型单晶硅基体，则第一半导体层为N型非晶硅掺杂层，第二半导体层为P型非晶硅掺杂层。

5.根据权利要求1所述一种新型的背接触异质结电池，其特征在于：所述减反射层为氧化硅、氮化硅、ITO或氧化铝，厚度控制在50～150nm之间。

6.根据权利要求1所述一种新型的背接触异质结电池，其特征在于：所述电池片的第一和二半导体层都进行高浓度掺杂，形成良好接触，掺杂浓度为10¹⁹-10²⁰cm^-3，接触电阻小于10mΩ.cm²。

7.一种新型的背接触异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：

硅基体片进行清洗；

在硅基体片的受光面依次沉积半导体钝化层、第一半导体层和减反射层；

在硅基体片的背光面依次镀上半导体钝化层和绝缘层；

去除部分绝缘层，形成第二半导体区的开口区域；

在硅基体片的背光面沉积第二半导体层；

在第二半导体层和绝缘层交叠的区域，去除部分的第二半导体层和绝缘层，形成第一半导体层的开口区域；

在硅基体片的背光面沉积第一半导体层，使其交错形成第一半导体层和第二半导体与第一半导体的叠层；

在硅基体片的背光面沉积透明导电层；

将硅基体片背光面的第一半导体层和叠层区域绝缘隔开；

在第一半导体层和叠层上形成电极。

8.根据权利要求7所述一种新型的背接触异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述硅基体片清洗为两面抛光再制绒形成金字塔绒面。

9.根据权利要求7所述一种新型的背接触异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一半导体层和叠层区域绝缘隔开采用激光刻线方式或丝网印刷掩膜刻蚀方式。

10.根据权利要求7所述一种新型的背接触异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述在第一半导体层和叠层上形成电极采用丝网印刷银浆方式或电镀方式进行。