[发明专利]柔性基材电路板及金属钉扎层的制备方法和设备

权利要求书

1.一种金属钉扎层的制备方法，其特征在于，包括：

利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源，向基底层注入第一金属元素，对所述基底层进行清洗，并形成金属掺杂层；其中，所述第一金属元素的注入电压为4～8kV，束流强度为1～4mA；

利用磁过滤阴极真空弧(FCVA)离子源，在所述金属掺杂层上通过磁过滤沉积得到3nm～10nm的第一金属膜层；

利用所述MEVVA离子源，向所述第一金属膜层表面注入第二金属元素，形成金属钉扎层；

利用所述FCVA离子源，在所述金属钉扎层上，磁过滤沉积出10～30nm的金属覆盖层；其中所述磁过滤沉积时，弧流为90～150A，弯管磁场电流为1.0～4.0A；

所述第一金属元素为Ni或者Cu，其注入电压为4～8kV，束流强度为1～4mA，注入剂量为1×10¹⁵～1×10¹⁶/cm²，注入深度为70～120nm；

和/或，

所述第二金属元素为Ni或Cu，其注入电压为10～15kV，注入金属束流强度为1～4mA，注入剂量为1×10¹⁵～5×10¹⁵/cm²；

所述基底层为聚酰亚胺膜，由均苯四甲酸二酐(PMDA)和二氨基二苯醚(ODA)在极强性溶剂二甲基乙酰胺(DMAC)中经缩聚并流涎成膜，再经亚胺化而成；且所述第一金属膜层为Ni膜层或者Cu膜层；所述第一金属膜层的厚度大于或等于3nm，且小于10nm。

2.根据权利要求1所述的金属钉扎层的制备方法，其特征在于，所述金属覆盖层的金属元素为Ni或Cu，且厚度为10～30nm。

3.一种用于权利要求1或2所述的金属钉扎层的制备方法的制备设备，其特征在于，包括：

注入装置，配置为利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源，向基底层注入第一金属元素，对所述基底层进行清洗，并形成金属掺杂层；

沉积装置，配置为利用FCVA，在所述金属掺杂层上通过磁过滤沉积得到第一金属膜层；其中，所述第一金属膜层的厚度大于或等于3nm且小于10nm；

所述注入装置还配置用于：利用所述MEVVA离子源向所述第一金属膜层表面注入第二金属元素，形成金属钉扎层；

FCVA离子源沉积系统配置为用于：在所述金属钉扎层上沉积出10～30nm的金属覆盖层，该FCVA离子源沉积系统包括FCVA阴极(200)、触发电极(210)、阳极(220)、导管(230)以及磁场(240)。

4.一种柔性基材电路板的制备方法，其特征在于，包括：

清洗柔性基材；

在所述柔性基材表面，根据权利要求1或2所述的金属钉扎层的制备方法制备金属钉扎层；

在所述金属钉扎层上进行金属沉积，形成金属覆盖层；

在所述金属覆盖层上刻蚀所需的电路。

5.一种柔性基材电路板的制备设备，其特征在于，包括：

根据权利要求3所述的金属钉扎层的制备设备；

刻蚀装置，配置为在所述金属覆盖层上刻蚀所需的电路。

6.一种采用如权利要求4所述的柔性基材电路板的制备方法制造的柔性基材电路板；其中，所述柔性基材电路板包括：基底层、金属膜层、金属钉扎层、沉积于所述金属钉扎层之上的金属覆盖层、以及在所述金属覆盖层上的电路层。

7.一种终端设备，其特征在于，该终端设备设置有权利要求6所述的柔性基材电路板。