[发明专利]粉末体脱羟处理方法及石英玻璃的制备方法有效

申请号：	201810041367.6	申请日：	2018-01-16
公开（公告）号：	CN110040942B	公开（公告）日：	2021-10-12
发明（设计）人：	范艳层;钱宜刚;沈一春;蒋新力;许维维	申请（专利权）人：	中天科技集团有限公司
主分类号：	C03B20/00	分类号：	C03B20/00;C03C3/06
代理公司：	深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334	代理人：	孙芬
地址：	226010 江苏***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	粉末体脱羟处理方法石英玻璃制备
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【权利要求书】：

1.一种粉末体脱羟处理方法，其特征在于：将待处理粉末体置于脱羟基气氛中去除水分和羟基，得到脱羟基粉末体，其中，脱羟基气氛包括含氟气体；所述待处理的粉末体竖直旋转设置于一腔体中，所述含氟气体从所述腔体的底部流入，并从所述腔体的顶部流出；所述脱羟基气氛包括载气，所述载气包含N₂、He、Ar中的至少一种，所述含氟气体与所述载气的体积比范围为1:(9～35)；所述粉末体的孔隙率为10％至80％之间。

2.根据权利要求1所述的粉末体脱羟处理方法，其特征在于：所述含氟气体包含SiF₄、CF₄、C₂F₆中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的粉末体脱羟处理方法，其特征在于：所述将待处理粉末体置于脱羟基气氛中去除水分和羟基是在设定温度范围为300℃～1300℃，处理时间范围为1h～40h下进行。

4.一种石英玻璃的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

SiO₂粉末体的制备，采用含硅原料经化学气相沉积制得SiO₂粉末体；

脱羟处理，通过粉末体脱羟处理装置引入包括含氟气体的脱羟基气氛，将所述制得的SiO₂粉末体去除水分和羟基，得到脱羟基SiO₂粉末体，所述脱羟处理装置包括一腔体，所述SiO₂粉末体竖直旋转设置于所述腔体中，所述含氟气体从所述腔体的底部流入，并从所述腔体的顶部流出；所述脱羟基气氛包括载气，所述载气包含N₂、He、Ar中的至少一种，所述含氟气体与所述载气的体积比范围为1:(9～35)；所述SiO₂粉末体的孔隙率为10％至80％之间；

烧结处理，将脱羟基SiO₂粉末体进行烧结处理，得到透明的石英玻璃。

5.根据权利要求4所述的石英玻璃的制备方法，其特征在于：

所述含氟气体包含SiF₄、CF₄、C₂F₆中的至少一种；

所述脱羟处理是在设定温度范围为300℃～1300℃，处理时间范围为1h～40h下进行。

6.根据权利要求4所述的石英玻璃的制备方法，其特征在于：所述含硅原料包含SiCl₄、SiF₄、C₆H₁₈O₃Si₃、C₈H₂₄O₄Si₄、C₁₀H₃₀O₅Si₅、C₁₂H₃₆O₆Si₆中的至少一种。