[发明专利]温度补偿电路及显示装置有效
申请号: | 201810041585.X | 申请日: | 2018-01-16 |
公开(公告)号: | CN108287587B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 侯涛 | 申请(专利权)人: | 成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;王卫忠 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 补偿 电路 显示装置 | ||
本公开提供一种温度补偿电路及显示装置。该温度补偿电路包括:第一分压模块,所述第一分压模块包括热敏电阻,所述第一分压模块的输入端连接至第一电压源;第二分压模块,所述第二分压模块的输出端连接至该温度补偿电路的电压输出端,所述第二分压模块的输入端连接至第二电压源;MOS管,分别与所述第一分压模块和所述第二分压模块连接。本公开可以通过热敏电阻的阻值随温度的变化而相应变化的特性,调节MOS管的栅源电压,从而调节该MOS管的漏源电流,调节该第二分压模块的输出电压即该温度补偿电路的输出电压,当该温度补偿电路应用于显示面板时,可以实现显示面板在不同温度下可以达到更好的显示效果。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种温度补偿电路及显示装置。
背景技术
随着薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT-LCD,Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display)产业的日渐成熟,用户对显示器产品质量及品质的要求也越来越高。
TFT液晶显示器进行显示时,通过移位寄存器产生栅极输入信号,从第一行到最后一行依次扫描各行像素。为了降低TFT液晶显示器的制作成本,已有部分厂商通过半导体工艺直接在面板的玻璃基板上制作多级非晶硅移位寄存器,使用非晶硅材料制作的TFT,电流随温度的变化比较大,从而会使得TFT的驱动能力减弱,为了减弱温度对TFT驱动能力的影响,一般,通过改变TFT的开启电压(Gate On Voltage)的方式补偿温度对TFT驱动能力的影响。然而,改变TFT的Gate On Voltage时,通常会导致Vcom发生变化,如此,会造成液晶显示器屏的闪烁(Flicker)现象的严重。因此,在使用调节Gate On Voltage做温度补偿的同时,必须考虑Vcom的温度补偿。
因此,现有技术中的技术方案还存在有待改进之处。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种温度补偿电路及显示装置,进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得清晰,或者部分地通过本公开的实践而习得。
根据本公开的一个方面,提供一种温度补偿电路,包括:第一分压模块,所述第一分压模块包括热敏电阻,所述第一分压模块的输入端连接至第一电压源;第二分压模块,所述第二分压模块的输出端连接至该温度补偿电路的电压输出端,所述第二分压模块的输入端连接至第二电压源;MOS管,分别与所述第一分压模块和所述第二分压模块连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一分压模块包括第一电阻,所述第一电压源为正电压电源,所述第二分压模块包括第三电阻和第四电阻。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第四电阻为滑动电阻器。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第二电压源为正电压电源,所述MOS管为NMOS管,其中,所述第一电阻的第一端连接至所述第一电压源的输出端;所述第一电阻的第二端以及所述热敏电阻的第一端均连接至所述NMOS管的栅极;所述热敏电阻的第二端和所述NMOS管的源极均连接至第三电压源;所述第四电阻的第一端连接至所述第二电压源的输出端;所述第四电阻的第二端和第三端连接至所述第三电阻的第一端;所述第三电阻的第二端连接至所述NMOS管的漏极。
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