[发明专利]一种具有载流子存储层的三栅薄SOI LIGBT有效
| 申请号： | 201810042181.2 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108258041B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;孙涛;魏杰;邓高强;黄琳华;赵哲言;刘庆;杨洋;苏伟;丁柏浪;莫日华 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 载流子 存储 三栅薄 soi ligbt | ||
1.一种具有载流子存储层的三栅薄SOI LIGBT，包括沿器件垂直方向自下而上依次层叠设置的衬底层(1)、埋氧层(2)和顶部半导体层；沿器件横向方向，所述的顶部半导体层从一侧到另一侧依次具有阴极结构、三栅结构、N型载流子存储层(11)、N型半导体漂移区(4)和阳极结构；
所述阴极结构包括沿器件垂直方向贯穿顶部半导体层的P型阱区(3)和P型重掺杂区(5)，P型阱区(3)和P型重掺杂区(5)相互接触且P型阱区(3)位于靠N型半导体漂移区(4)的一侧；在P型阱区(3)的上层具有N型重掺杂区(6)；所述P型重掺杂区(5)和N型重掺杂区(6)上表面引出阴极；
所述器件横向方向和器件垂直方向相互垂直；
所述三栅结构位于阴极结构与N型半导体漂移区(4)之间，三栅结构包括沿器件纵向方向间断分布的槽栅和平面栅；所述槽栅从P型阱区(3)和N型载流子存储层(11)表面向下延伸，由第一导电材料(7)及其四周的第一绝缘介质(8)构成，槽栅底部被N型载流子存储层(11)包覆；所述间断分布的槽栅之间的区域表面覆盖平面栅结构；所述平面栅结构包括第二绝缘介质(10)和覆盖在第二绝缘介质(10)之上的第一导电材料(9)；所述平面栅结构一侧与N型重掺杂区(6)表面接触，另一侧覆盖P型阱区(3)和N型载流子存储层(11)的上表面，并与N型半导体漂移区(4)接触；
所述器件纵向方向为同时与器件横向方向和器件垂直方向均垂直的第三维度方向；
所述阳极结构包括N型缓冲层(12)和P型阳极区(13)，所述P型阳极区(13)位于N型缓冲层(12)中，所述N型缓冲层(12)的下表面和埋氧层(2)相接；所述P型阳极区(13)引出阳极电极。
2.根据权利要求1所述的一种具有载流子存储层的三栅薄SOILIGBT，其特征在于，所述平面栅下方的P型阱区(3)内有沿器件纵向方向间断分布P型埋层(14)；所述P型埋层(14)位于N型重掺杂区(6)下方且与埋氧层(2)接触；所述P型埋层(14)的一侧与P型重掺杂区(5)接触，另一侧与N型载流子存储层(11)不接触；所述P型埋层(14)在纵向方向上不伸入槽栅底部与埋氧层(2)的间隙。
3.根据权利要求1所述的一种具有载流子存储层的三栅薄SOILIGBT，其特征在于，所述平面栅下方的P型阱区(3)内有沿器件纵向方向与N型重掺杂区(6)间断分布P型埋层(14)；所述P型埋层(14)伸入平面栅下方，但与N型载流子存储层(11)不接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院，未经电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810042181.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
