[发明专利]一种魔芋立体垄种栽培方法

说明书

本发明公开了一种魔芋立体垄种栽培方法，采用“三沟”垄种模式，“三沟”为主沟、腰沟和排水沟；其中，主沟根据地块划分；腰沟和主沟形成垂直角度；腰沟为上高下低的走水沟，低的一头为出水口，伏天时加堵出水口，到雨节挖除决口排水；腰沟根据地块而定；排水沟即行距沟；冬季套种在排水沟侧面10cm顺延；零度以下的区域，用80cm宽的地膜将魔芋和套种一起覆盖越冬，留20‑30cm深的排水沟排水透气；夏季套种在魔芋双行中间或者顺延套种于魔芋侧面10cm处。本发明的魔芋立体垄种栽培方法可解决魔芋地下高湿浸泡、高湿冻结和板结造成的不透气等问题，避免“高湿”和“土壤板结”引发真菌性病变问题，可有效预防白绢病等。

技术领域

本发明涉及农业技术领域，具体是一种魔芋立体垄种栽培方法。

背景技术

魔芋是世界上唯一含大量甘聚糖作物，葡甘聚糖是高可容性膳食纤维，应用于很多方面，中国最传统的魔芋食品魔芋豆腐，可以说历史优久，众所周知。魔芋在中国已有几千年种植和利用历史，随着魔芋产品逐步被人们认可，古老的自繁自衍种植已经满足不了市场需求，规模化、专业化种植势在必行。

魔芋是多年生草本植物，以地下茎生根、发芽、出苗、散叶、换头、膨大为生长原理，在生长过程中从仔种到膨大成为商品芋需要三年左右时间为一个生长周期，魔芋生长过程中靠潮气成活，靠露水养苗、靠肥力膨胀。魔芋生长过程中：喜荫怕无光，喜凉怕雪霜；喜湿怕浸泡，喜温怕晒伤；喜干怕断潮，喜肥怕烧伤；喜风怕倒行，喜静怕草荒；喜洁怕弄伤，喜雨怕冰雹。有荫苗式旺，有凉宜贮藏；有湿根系壮，有温才膨胀；偏干种不烂，有肥膨大忙；有风才透气，静静苗生长；清洁无细菌，有雨土壤潮。魔芋生长环境中：无光生炭疽，雪霜浸烂种；高湿生白绢，高温成软腐；断潮根先死，肥近种烂光；倒行生病变，草荒苗弱死；伤苗株死亡，冰苞打叶亡。根据以上特征，魔芋种植行业必须在大自然环境中创造和调节适应魔芋基本特征的生长条件去实行魔芋种植发展，才是良性发展。

魔芋生长周期长，通过繁育、培育、种植再到繁育，整体从魔芋果实种或者球茎枝芽种繁育一年，培育一年，种植生长膨大一年，所以魔芋一个轮回生长周期，需要三年时间。

魔芋种植规律：良种引进、良种培育、良种栽培、良种繁育、进行良性循环，保证不老化、无残留的成功种植方法。其次对适宜种植区域的土质、土壤、气候、温差、水源补充等有利于种植和管理的地方，进行良性种植。

魔芋种植与海拔无关，与种植区域气候、温度、土质有关，不同海拔采用不同的管理方法，不同海拔魔芋膨大系数不同，不同植物是否与魔芋共生，是否违背魔芋生长周期和生长规律等等，在不同海拔选择便于管理的好田、好地进行种植。现有的魔芋种植方法仍需进一步改善，因此，本发明提供一种魔芋立体垄种栽培方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种魔芋立体垄种栽培方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种魔芋立体垄种栽培方法，采用“三沟”垄种模式，“三沟”为主沟、腰沟和排水沟；其中，主沟根据地块划分：小块田地以田地最上方坎沟为主沟；大块田地以中线为主沟，或以每5m划一主沟；其中，腰沟和主沟形成垂直角度；腰沟为上高下低的走水沟，低的一头为出水口，伏天时加堵出水口，到雨节挖除决口排水；腰沟根据地块而定：小块田地以中线为腰沟，大块田地以每10m划一腰沟；其中，排水沟即行距沟；冬季套种在排水沟侧面10cm顺延；零度以下的区域，用80cm宽的地膜将魔芋和套种一起覆盖越冬，留20-30cm深的排水沟排水透气，到立春后的雨水前，卷起地膜，除草后覆盖在套种物上；夏季套种在魔芋双行中间或者顺延套种于魔芋侧面10cm处，排水沟两头低中间高。

作为本发明进一步的方案：主沟尺寸标准：宽40cm×深50cm。

作为本发明进一步的方案：腰沟尺寸标准：50cm宽×50cm。

作为本发明进一步的方案：旱地抽排水沟深20cm。