[发明专利]包括层叠的芯片的半导体封装有效
申请号: | 201810042720.2 | 申请日: | 2018-01-17 |
公开(公告)号: | CN108933110B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 李承烨;朴真敬 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/498;H01L25/07 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 层叠 芯片 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装,该半导体封装包括:
第一芯片层叠物,该第一芯片层叠物包括彼此偏移并层叠在封装基板上的第一芯片;
第二芯片层叠物,该第二芯片层叠物包括彼此偏移并层叠在所述封装基板上的第二芯片;
第三芯片,该第三芯片由所述第一芯片层叠物和所述第二芯片层叠物支撑;
第一结合线,所述第一结合线将所述第一芯片电连接到所述封装基板;以及
第二结合线,所述第二结合线将所述第二芯片电连接到所述封装基板,
其中,所述第一结合线延伸以提供将所述第一芯片层叠物连接到所述第三芯片的延伸部分,
其中,所述第三芯片仅直接电连接到所述第一芯片层叠物,
其中,所述第三芯片包括:
第一子芯片区域,在该第一子芯片区域上设置有联接到所述第一结合线的所述延伸部分的第一子芯片连接图案;
第二子芯片区域,在该第二子芯片区域上设置有与所述第一子芯片连接图案对应的第二子芯片连接图案;以及
中间链接区域,该中间链接区域将所述第一子芯片区域与所述第二子芯片区域组合,
其中,所述第二子芯片连接图案通过第三结合线连接到所述第一子芯片连接图案。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述第一芯片层叠物和所述第二芯片层叠物被设置为彼此间隔开。
3.根据权利要求1所述的半导体封装,
其中,各个所述第一芯片包括边缘部分,在该边缘部分上设置有连接到所述第一结合线的第一芯片连接图案,并且
其中,所述第一芯片偏移以暴露所述第一芯片连接图案。
4.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述第一芯片偏移的方向与所述第二芯片偏移的方向相反。
5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述第一芯片层叠物具有与所述第二芯片层叠物基本上相同的高度。
6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述第一芯片、所述第二芯片和所述第三芯片具有相同的功能。
7.根据权利要求1所述的半导体封装,该半导体封装还包括被设置在所述第一芯片层叠物和第二芯片层叠物之间以及被设置在所述封装基板上的第四芯片。
8.根据权利要求1所述的半导体封装,该半导体封装还包括覆盖所述第一芯片层叠物、所述第二芯片层叠物和所述第三芯片的密封剂,
其中,所述第一芯片层叠物被设置为使得所述第一芯片层叠物的第一前向阶梯状侧壁与所述密封剂的第一侧壁相邻,并且所述第二芯片层叠物被设置为使得所述第二芯片层叠物的第二前向阶梯状侧壁与所述密封剂的与所述第一侧壁相对的第二侧壁相邻。
9.一种半导体封装,该半导体封装包括:
第一芯片层叠物,该第一芯片层叠物包括彼此偏移并层叠在封装基板上的第一芯片;
第二芯片层叠物,该第二芯片层叠物包括彼此偏移并层叠在所述封装基板上的第二芯片;
第三芯片,该第三芯片由所述第一芯片层叠物和所述第二芯片层叠物支撑;
第一结合线,所述第一结合线将所述第一芯片电连接到所述封装基板;以及
第二结合线,所述第二结合线将所述第二芯片电连接到所述封装基板,
其中,所述第一结合线延伸以提供将所述第一芯片层叠物连接到所述第三芯片的延伸部分,
其中,所述第三芯片仅直接电连接到所述第一芯片层叠物,
其中,所述第三芯片包括:
第一子芯片区域,在该第一子芯片区域上设置有联接到所述第一结合线的所述延伸部分的第一子芯片连接图案;
第二子芯片区域,在该第二子芯片区域上设置有与所述第一子芯片连接图案对应的第二子芯片连接图案;以及
中间链接区域,该中间链接区域将所述第一子芯片区域与所述第二子芯片区域组合,并且
其中,所述第二子芯片连接图案通过再分配线连接到所述第一子芯片连接图案。
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