[发明专利]一种基于碳布原位生长三氧化钨超级电容器电极材料的制备方法在审
| 申请号： | 201810044071.X | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108364794A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 杨东江;邹译慧;阴卓成;孙瑾 | 申请（专利权）人： | 青岛大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/32;H01G11/46;H01G11/86 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266071 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳布 三氧化钨 导电性 制备 浸泡 超级电容器电极 活性位点 原位生长 电性能 电容 三氧化钨纳米片 超级电容器 电极材料 亲水处理 水热反应 乙醇溶液 种子溶液 烧结 比容量 电解液 氯化钨 马弗炉 钨酸 盐酸 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于碳布原位生长三氧化钨超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：
1)将碳布浸泡在盐酸中一晚上进行亲水处理；
2)将处理后的碳布浸泡在钨酸的种子溶液中；
3)浸泡完成后在马弗炉中进行烧结得到含有三氧化钨种子的碳布；
4)将得到的碳布放到含有氯化钨的乙醇溶液中进行水热反应；
5)用电化学工作站测试上述产物的电化学性能。
2.根据权利要求书1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述盐酸浓度为12M。
3.根据权利要求书1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述种子溶液为钨酸分散液，浸泡时间10分钟。
4.根据权利要求书1所述的制备方法，其特征在于，步骤3)中所述的热处理工艺为空气中500℃下煅烧2小时。
5.根据权利要求书1所述的制备方法，其特征在于，步骤4)中所述，水热工艺为在100℃下反应8小时。
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