[发明专利]一种新型低触发电压的双向SCR半导体保护器件在审
| 申请号： | 201810044594.4 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108022912A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 吕海凤;赵德益;苏海伟;赵志方;王允;张啸;苏亚兵;蒋骞苑;霍田佳 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/74 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 韩国辉 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 触发 电压 双向 scr 半导体 保护 器件 | ||
1.一种新型低触发电压的双向SCR半导体保护器件，其特征在于：包括衬底区，阱区和重掺杂区；
所述的衬底区(100)为第一导电类型衬底；
所述的阱区形成于衬底区(100)之上，从左至右为依次相邻的第二导电类型阱区(120)，第一导电类型阱区(130)，第二导电类型阱区(140)；
所述的第二导电类型阱区(120)内有第二导电类型重掺杂区(210)和第一导电类型重掺杂区(220)；所述的第一导电类型阱区(130)内有第二导电类型重掺杂区(230)和(240)；所述的第二导电类型阱区(140)内有第二导电类型重掺杂区(260)和第一导电类型重掺杂区(250)；
第一导电类型阱区(130)、第二导电类型重掺杂区(230)和第二导电类型重掺杂区(240)构成双向三极管器件；
第二导电类型阱区(120)、第一导电类型阱区(130)、第二导电类型阱区(140)以及重掺杂区(210)、(220)、(250)、(260)构成双向SCR器件；
第二导电类型重掺杂区(210)、第一导电类型重掺杂区(220)和第二导电类型重掺杂区(230)相连作为第一电极；第二导电类型重掺杂区(260)、第一导电类型重掺杂区(250)和第二导电类型重掺杂区(240)相连作为第二电极。
2.根据权利要求1所述的新型低触发电压的双向SCR半导体保护器件，其特征在于，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。
3.根据权利要求1所述的新型低触发电压的双向SCR半导体保护器件，其特征在于，第一导电类型的衬底区为P型衬底，电阻率为20Ω.cm～500Ω.cm。
4.根据权利要求1所述的新型低触发电压的双向SCR半导体保护器件，其特征在于，双向三极管为NPN，其发射极和集电极掺杂浓度为5e18/cm
5.根据权利要求1所述的新型低触发电压的双向SCR半导体保护器件，其特征在于，双向SCR为PNPNP结构，第二导电类型阱区(120)和(140)的掺杂浓度为1e17/cm
6.根据权利要求1所述的新型低触发电压的双向SCR半导体保护器件，其特征在于，以第一导电类型阱区(130)为中心，呈左右对称结构。
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