[发明专利]器件封装结构及封装过程中应力释放的方法

说明书

本发明提供了一种器件封装结构及封装过程中应力释放的方法，器件封装方法包括：提供一承载部件，将多个待封装单元间隔固定于所述承载部件上；在所述承载部件上形成塑封层，所述塑封层覆盖所述承载部件以及所述待封装单元；在所述塑封层上形成多个应力释放开口，所述应力释放开口能够释放所述塑封层内部的应力，减小待封装单元塑封后的翘曲度，以方便后续工艺制作，从而适合大规模量产，并且同时提高了器件封装结构的质量及性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种器件封装结构及封装过程中应 力释放的方法。

背景技术

晶圆级封装(Wafer Level Packaging，WLP)技术是对整个晶圆进行封装测 试后再切割得到单个成品芯片的技术，顺应了市场对微电子产品日益轻、小、 短、薄化和低价化要求。经晶圆级封装技术封装后的芯片尺寸达到了高度微型 化，芯片成本随着芯片尺寸的减小和晶圆尺寸的增大而显著降低，是当前封装 领域的热点和未来发展的趋势。

进行晶圆封装时，尤其是扇出型晶圆封装(FOWLP)时，在形成有胶合层 的承载部件上放置芯片，然后对承载部件进行塑封，形成塑封体，之后通过紫 外光照射或加热的方法使胶合层失去粘性，将塑封体从晶圆上释放，形成晶圆 封装结构。但是晶圆塑封之后很容易发生翘曲，可能导致后续工艺无法进行或 者需要后续工艺进行特殊处理、调整，进而影响到封装成品的质量及性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种器件封装结构及封装过程中应力释放的方法， 通过应力释放开口释放塑封层内部的应力，避免塑封层发生翘曲，提高器件封 装结构的质量及性能。

为实现上述目的，本发明提供一种器件封装过程中应力释放的方法，包括 以下步骤：

提供一承载部件，将多个待封装单元间隔固定于所述承载部件上；

在所述承载部件上形成塑封层，所述塑封层覆盖所述承载部件以及所述待 封装单元；

在所述塑封层上形成多个应力释放开口，所述应力释放开口与所述待封装 单元位于所述塑封层上的不同位置。

可选的，采用模具法在所述塑封层上形成所述应力释放开口。

可选的，采用刻蚀的方法在所述塑封层上形成所述应力释放开口。

可选的，所述应力释放开口为通孔或隔离槽。

可选的，多个所述隔离槽沿第一方向或/和第二方向延伸，所述第一方向与 所述第二方向垂直。

可选的，将多个待封装单元间隔固定于所述承载部件上之前，所述器件封 装方法还包括：在所述承载部件上形成胶合层。

可选的，所述应力释放开口贯穿所述塑封层，暴露出所述胶合层。

可选的，在所述塑封层上形成多个应力释放开口之后，所述器件封装方法 还包括：对所述应力释放开口进行填充，并进行平坦化。

可选的，对所述应力释放开口进行填充，并进行平坦化之后，所述器件封 装方法还包括：移除所述承载部件。

相应的，本发明还提供一种器件封装结构，包括：

一承载部件；

多个待封装单元，所述待封装单元间隔固定于所述承载部件上；

塑封层，所述塑封层覆盖所述承载部件以及所述待封装单元；

多个应力释放开口，所述应力释放开口位于所述塑封层上，且与所述待封 装单元位于所述塑封层的不同位置处。

可选的，所述应力释放开口为通孔或隔离槽。

可选的，多个所述隔离槽沿第一方向或/和第二方向延伸，所述第一方向与 所述第二方向垂直。