[发明专利]一种基于方酸衍生物的氨气传感器的制备方法

权利要求书

1.一种基于方酸衍生物的氨气传感器的制备方法，其包括如下步骤：

1）清洁基板，并将叉指电极固定在所述基板上；

2）将步骤1）中固定有叉指电极的基板置于真空镀膜装置中，并向所述真空镀膜装置中装入作为镀膜材料的下述式I所示的方酸衍生物；

3）按照如下条件设置真空镀膜参数：蒸镀速度为5~6 Å/s，蒸镀压力为1E-6~1E-5mbar，蒸镀温度为120~140℃；

4）参数设置完成后，开启减压装置来降低所述真空镀膜装置的腔内气压，当腔内气压小于5.0 mbar时，开启分子泵，当气压达到蒸镀压力时，开始蒸镀薄膜，直至镀膜达到所需的厚度，即得基于方酸衍生物的氨气传感器；

所述方酸衍生物的化学结构式如式I所示：

。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤1）中所述固定通过双面胶粘合的方式来完成。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤1）中所述叉指电极以自下而上依次为硅、二氧化硅、铬的层状结构为基底，所述基底上设置有金电极；所述二氧化硅的厚度为270~330 nm，所述铬的厚度为9~11 nm，所述金电极的厚度为90~110 nm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤1）中所述叉指电极的叉指宽度为3~8 μm，叉指间距为2~5 μm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤2）中所述真空镀膜装置为真空镀膜机。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤3）中所述真空镀膜参数设置如下：蒸镀速度为5 Å/s，蒸镀压力为1E-5 mbar，蒸镀温度为120℃。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤4）中所述减压装置为真空泵。