[发明专利]电子装置的可控天线单元及其天线模块有效
申请号: | 201810046707.4 | 申请日: | 2018-01-18 |
公开(公告)号: | CN108270086B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 颜红方;施佑霖;杜昆谚;李铭佳;李荣耀;陈小芹 | 申请(专利权)人: | 常熟市泓博通讯技术股份有限公司 |
主分类号: | H01Q23/00 | 分类号: | H01Q23/00;H01Q19/18;H01Q1/48;H01Q1/50 |
代理公司: | 常熟市常新专利商标事务所(普通合伙) 32113 | 代理人: | 朱伟军 |
地址: | 215500 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 耦合辐射体 二极管 单极天线 电子装置 低频反射器 接地面边缘 天线单元 天线模块 电容 接地部 馈入端 可控 高频反射器 操作频率 无线数据传输 产业应用 反射臂 反射环 接地面 延伸部 应用 | ||
1.一种电子装置的可控天线单元,其特征在于包括:
一接地面,该接地面具有一接地面边缘;
一高频反射器,该高频反射器具有一反射臂、一第一二极管、一延伸部以及一第一电容,其中,所述反射臂的至少一部分以垂直于所述接地面边缘的状态与第一二极管的一阳极连接,而该第一二极管的一阴极与所述的接地面边缘连接,延伸部的一第一端与第一二极管的阳极连接,而延伸部的一第二端通过所述第一电容与接地面边缘连接;
一低频反射器,该低频反射器具有一反射环、一第二二极管以及一第二电容,第二二极管电气连接于反射环与接地面边缘之间,第二电容电气连接于反射环与接地面边缘之间,其中第二二极管的一阳极与反射环连接,而第二二极管的一阴极与接地面边缘连接,并且第二二极管比所述的第二电容更靠近所述的第一电容,而该第一电容比所述的第一二极管更靠近第二二极管;
一单极天线,该单极天线位于所述的高频反射器与所述的低频反射器之间,该单极天线靠近所述接地面边缘的一端为一馈入端,该馈入端位于第一电容与第二二极管之间;以及
一耦合辐射体,该耦合辐射体位于所述单极天线与所述低频反射器之间,该耦合辐射体具有一接地部,该接地部与所述接地面边缘连接,并且接地部比所述馈入端更靠近所述第二二极管,其中,耦合辐射体的操作频率低于所述单极天线的操作频率。
2.根据权利要求1所述的电子装置的可控天线单元,其特征在于当所述的第一二极管导通时,所述反射臂反射所述单极天线的电磁波;而当所述第一二极管不导通时,所述延伸部延长反射臂的接地路径而得以使所述高频反射器不反射所述单极天线的电磁波;当所述第二二极管不导通时,所述反射环通过所述第二电容短路至所述接地面而得以反射所述耦合辐射体的电磁波;而当所述第二二极管导通时,所述反射环通过所述第二二极管以及第二电容短路至所述接地面以不反射所述耦合辐射体的电磁波。
3.根据权利要求1所述的电子装置的可控天线单元,其特征在于利用所述第一二极管短路至所述接地面的所述反射臂的长度为所述单极天线的操作频率所对应的波长的四分之一,所述反射环的环周长度为所述耦合辐射体的操作频率所对应的波长的二分之一。
4.根据权利要求3所述的电子装置的可控天线单元,其特征在于所述反射环的结构用以提升所述低频反射器的反射集中程度。
5.根据权利要求1所述的电子装置的可控天线单元,其特征在于所述的低频反射器还包括有一第三二极管,该第三二极管与所述第二电容并联连接,并且该第三二极管的一阳极与所述的反射环连接,而第三二极管的一阴极与所述的接地面边缘连接,该第三二极管比第二电容更远离第二二极管,其中,第三二极管以及第二二极管被同时导通或者同时不导通。
6.一种天线模块,该天线模块用于电子装置,其特征在于所述天线模块包括:至少一个如权利要求1所述的可控天线单元;
一应用单元,该应用单元与电子装置的一无线芯片连接,由该无线芯片接收所述可控天线单元的接收信号强度指示或接收数据率并且该应用单元具有一算法处理程序;
一控制单元,该控制单元与高频反射器的第一二极管以及低频反射器的第二二极管连接而得以向所述第一二极管提供一第一直流电压并且向所述第二二极管提供一第二直流电压;以及
一处理单元,该处理单元与所述应用单元以及所述控制单元连接,并且该处理单元受控于应用单元,依据所述可控天线单元的接收信号强度指示或接收数据率并且配合所述算法处理程序而得以决定所述控制单元是否导通所述第一二极管以及该第二二极管,以控制所述可控天线单元的辐射场型。
7.根据权利要求6所述的一种天线模块,其特征在于当所述第一二极管导通时,所述反射臂反射所述单极天线的电磁波;而当第一二极管不导通时,所述延伸部延长所述反射臂的接地路径而得以使所述高频反射器不反射所述单极天线的电磁波;当所述第二二极管不导通时,所述反射环通过所述第二电容短路至所述接地面而得以反射所述耦合辐射体的电磁波;而当所述第二二极管导通时,所述反射环通过所述第二二极管以及第二电容短路至所述接地面以不反射所述耦合辐射体的电磁波。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常熟市泓博通讯技术股份有限公司,未经常熟市泓博通讯技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810046707.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:吸透一体频率选择表面结构
- 下一篇:天线组件、电子设备及天线切换方法