[发明专利]低频磁美特材料单元结构体及其组合装置有效

专利信息
申请号: 201810047918.X 申请日: 2018-01-18
公开(公告)号: CN108281266B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 李云辉;曾超;李果;王宇倩;郭桂春;俞维健;方恺;陈宇光;张冶文;陈鸿 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: H01F38/14 分类号: H01F38/14;H01F5/00;H01F5/06;H02J50/12
代理公司: 上海唯源专利代理有限公司 31229 代理人: 曾耀先
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 低频 磁美特 材料 单元 结构 及其 组合 装置
【权利要求书】:

1.一种低频磁美特材料单元结构体,其特征在于,包括绝缘介质板以及支持瓦级以上功率的金属导线和集总参数电子元件,所述磁美特材料单元结构体成形为深亚波长尺度;其中:

所述绝缘介质板包括相对设置且皆成形为正方形板的底板及顶板,所述底板与所述顶板之间设有立壁连接,所述立壁是由四个平面形状呈L形的折板围立构成;

所述金属导线,为利兹线,所述利兹线服贴地多重绕匝于所述立壁的外面上;

所述集总参数电子元件,与所述金属导线连接并装配于所述绝缘介质板上;所述集总参数电子元件是金属化聚酯膜电容;

所述磁美特材料单元结构体通过加载所述集总参数电子元件调谐频率,以及通过具有等效磁导率的所述金属导线谐振所述磁美特材料单元结构体。

2.根据权利要求1所述的低频磁美特材料单元结构体,其特征在于:

所述磁美特材料单元结构体的频率调谐范围是1kHz至100MHz。

3.根据权利要求1所述的低频磁美特材料单元结构体,其特征在于:

所述磁美特材料单元结构体的等效磁导率调谐范围是-100至100。

4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的低频磁美特材料单元结构体,其特征在于:

所述磁美特材料单元结构体的等效磁导率具有小于1的特殊响应。

5.根据权利要求4所述的低频磁美特材料单元结构体,其特征在于:

所述绝缘介质板是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)板。

6.根据权利要求4所述的低频磁美特材料单元结构体,其特征在于:

所述集总参数电子元件与所述金属导线的首尾端焊接以装配于所述绝缘介质板上。

7.一种低频磁美特材料单元结构体组合装置,其特征在于,所述组合装置包括多个根据权利要求1至6中任一权利要求所述低频磁美特材料单元结构体。

8.根据权利要求7所述的低频磁美特材料单元结构体组合装置,其特征在于:

所述磁美特材料单元结构体在二维平面或三维空间内以周期性复制排列或者按特定空间分布函数排列形成所述磁美特材料单元结构体组合装置,所述磁美特材料单元结构体组合装置为具有等效磁导率均匀或梯度分布的等效连续磁介质。

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