[发明专利]一种LDO电路在审
| 申请号： | 201810048035.0 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN108037788A | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 吴斯敏;李俊杰 | 申请（专利权）人： | 上海艾为电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ldo 电路 | ||
1.一种LDO电路，其特征在于，包括：运算放大器、第一电阻、第二电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，其中：
所述运算放大器的同相输入端接收基准电压；
所述运算放大器的反相输入端经所述第二电阻接地，同时经所述第一电阻连接到所述第二PMOS管的漏极；
所述运算放大器的输出端同时连接到所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅极；
所述第一NMOS管的漏级和所述第二NMOS管的漏级相连；
所述第二NMOS管的源极连接所述第三NMOS管的漏极；
所述第一NMOS管的源极和所述第三NMOS管的源极接地；
所述第三NMOS管的栅极在所述LDO电路上电一段时间后接收驱动信号；
所述第一NMOS管的漏级同时连接到所述第一PMOS管的漏级、所述第一PMOS管的栅极以及所述第二PMOS管的栅极；
所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接到电源；
所述第二PMOS管的漏极为所述LDO电路的输出端；
所述第一NMOS管的宽长比远小于所述第二NMOS管的宽长比。
2.一种LDO电路，其特征在于，包括：运算放大器、第一电阻、第二电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，其中：
所述运算放大器的同相输入端接收基准电压；
所述运算放大器的反相输入端经所述第二电阻接地，同时经所述第一电阻连接到所述第二PMOS管的漏极；
所述运算放大器的输出端同时连接到所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅极；
所述第一NMOS管的漏级和所述第三NMOS管的漏级相连；
所述第二NMOS管的漏极连接所述第三NMOS管的源极；
所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极接地；
所述第三NMOS管的栅极在所述LDO电路上电一段时间后接收驱动信号；
所述第一NMOS管的漏级同时连接到所述第一PMOS管的漏级、所述第一PMOS管的栅极以及所述第二PMOS管的栅极；
所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接到电源；
所述第二PMOS管的漏极为所述LDO电路的输出端；
所述第一NMOS管的宽长比远小于所述第二NMOS管的宽长比。
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