[发明专利]金属线引出工艺结构及其制备方法和背照式图像传感器

权利要求书

1.一种金属线引出工艺结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括凹槽和光电二极管预制备区；其中，所述凹槽的纵切面呈一正梯形形状；

所述凹槽的底部下方填埋有一金属互联层；

所述凹槽的底部设有开口，所述开口穿过所述凹槽的底部的所述衬底，且终止于所述金属互联层；

第一介质层，覆盖所述光电二极管预制备区处的所述衬底的表面；

氧化层，覆盖所述凹槽的侧壁和底部的一部分，且覆盖所述第一介质层的表面，其中，覆盖第一介质层表面的氧化层以及第一介质层于所述凹槽正上方区域的纵切面呈一倒梯形形状。

2.根据权利要求1所述的金属线引出工艺结构，其特征在于，所述正梯形的底角小于90度。

3.根据权利要求1所述的金属线引出工艺结构，其特征在于，在经过位于第一介质层上方的氧化层的无罩刻蚀工艺后凹槽侧壁的氧化层的厚度为65nm。

4.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括如权利要求1～3中任一项所述的金属线引出工艺结构。

5.一种金属线引出工艺结构的制备方法，其特征在于，包括：

S1、制备一衬底，所述衬底包括光电二极管预制备区以及填埋于所述衬底内部的金属互联层；

S2、于所述衬底的表面覆盖第一介质层；

S3、于所述第一介质层的表面覆盖第一氧化层；

S4、开设一凹槽且在所述凹槽的底部开设有开口，所述开口穿过所述凹槽的底部的所述衬底，且终止于所述金属互联层；其中，所述凹槽穿过所述第一氧化层、所述第一介质层和所述衬底的一部分，终止于所述金属互联层的上方且与所述金属互联层相距预设距离；其中，所述凹槽的纵切面呈一正梯形形状；

S5、于所述凹槽的底部和侧壁、所述开口的底部和侧壁，以及所述光电二极管预制备区处的第一氧化层的表面覆盖第二氧化层；

S6、对所述第二氧化层、第一氧化层和第一介质层进行刻蚀，使得位于所述衬底部分的凹槽的正上方区域的纵切面呈一倒梯形形状。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述S6具体包括：

采用气体刻蚀，通过控制气体刻蚀速率的方式，对所述第二氧化层、第一氧化层和第一介质层进行刻蚀，使得位于所述衬底部分的凹槽的正上方区域的纵切面呈一倒梯形形状。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述正梯形的底角小于90度。

8.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，在经过位于第一介质层上方的氧化层的无罩刻蚀工艺后所述凹槽侧壁的氧化层的厚度为65nm。